稀土离子电声子耦合S因子的计算

顾宗权; 王永良

doi:10.7498/aps.33.99

摘要

本文给出了计算多声子跃迁中电声子耦合最小S因子的公式,它具有不依赖晶格振动具体模式的优点,在此基础上具体估算了LaF3晶体中Ho3+稀土杂质在 5F1,5F4,5F5,5G4,5G5能级之间的多声子跃迁的S因子,得到S为0.05左右,这是与通常的实验结果相符的。
Abstract
A formula is given for calculating minimum electron-phonon coupling S factor in mul-tiphonon transitions, this formula has the advantage of being independent of lattice vibration modes. The S factors have been evaluated for the multiphonon transitions among the multiplets 5F1,5F4,5F5,5G4,5G5 of Ho3+ ion in the LaF3 crystal. The values obtained for the S factor are around 0.05, which is in agreement with experimental results.
作者及机构信息
顾宗权,

王永良

1.
中国科学院半导体研究所
Authors and contacts
GU ZONG-QUAN,

WANG YONG-LIAN

1.
中国科学院半导体研究所
参考文献

施引文献

[1]	王俊, 蔡飞燕, 张汝钧, 李永川, 周伟, 李飞, 邓科, 郑海荣. 基于压电声子晶体板波声场的微粒操控. 物理学报, 2024, 73(7): 074302. doi: 10.7498/aps.73.20231886
[2]	牟致栋. Rh XIII—Cd XVI离子4s²4p³—4s4p⁴能级与跃迁的理论计算. 物理学报, 2019, 68(6): 063101. doi: 10.7498/aps.68.20181976
[3]	廖涛, 孙小伟, 宋婷, 田俊红, 康太凤, 孙伟彬. 新型二维压电声子晶体板带隙可调性研究. 物理学报, 2018, 67(21): 214208. doi: 10.7498/aps.67.20180611
[4]	唐一璠, 林书玉. LCR分流电路下压电声子晶体智能材料的带隙. 物理学报, 2016, 65(16): 164202. doi: 10.7498/aps.65.164202
[5]	高淼, 孔鑫, 卢仲毅, 向涛. Li2C2中电声耦合及超导电性的第一性原理计算研究. 物理学报, 2015, 64(21): 214701. doi: 10.7498/aps.64.214701
[6]	吴卓杰, 朱卡的, 袁晓忠, 郑杭. 电声子相互作用对量子点分子中单电子隧穿的影响. 物理学报, 2005, 54(7): 3346-3350. doi: 10.7498/aps.54.3346
[7]	牟致栋, 魏琦瑛. MoⅩⅣ—RuⅩⅥ离子的3d104s—3d94s4p跃迁谱线波长和振子强度的计算. 物理学报, 2004, 53(6): 1742-1748. doi: 10.7498/aps.53.1742
[8]	王连涛, 吴长勤. 一维体系的电声子相互作用和声子激发. 物理学报, 1996, 45(10): 1717-1723. doi: 10.7498/aps.45.1717
[9]	董晨钟. PⅦ离子2p43p组态能级及2p43p—2p43s,3d跃迁波长和振子强度的计算. 物理学报, 1995, 44(4): 524-529. doi: 10.7498/aps.44.524
[10]	熊光成, 邹英华, 夏宗炬, 袁平, 连贵君, 李洁. 飞秒瞬态反射谱研究YBa2Cu3Ｏ７－δ费密面变化与电声子耦合. 物理学报, 1994, 43(11): 1860-1865. doi: 10.7498/aps.43.1860
[11]	刘磊, 李家明. 振子强度密度理论研究——类锂离子3s态到p通道跃迁振子强度密度. 物理学报, 1993, 42(12): 1901-1909. doi: 10.7498/aps.42.1901
[12]	沈学民. 托卡马克中极向静电天线的离子Bernstein波的耦合计算. 物理学报, 1991, 40(8): 1280-1289. doi: 10.7498/aps.40.1280
[13]	袁相津, 董晨钟, 余庚荪. RuXIV离子能级和振子强度的理论计算. 物理学报, 1991, 40(8): 1253-1258. doi: 10.7498/aps.40.1253
[14]	李永平. 用扩展OLCAO方法计算稀土Gd的电子结构. 物理学报, 1988, 37(12): 2011-2016. doi: 10.7498/aps.37.2011
[15]	郑杭. 关于强电声子耦合系统基态的一个注记. 物理学报, 1988, 37(9): 1550-1555. doi: 10.7498/aps.37.1550
[16]	张思远. 晶体中稀土离子能级重心的位移. 物理学报, 1987, 36(8): 1093-1098. doi: 10.7498/aps.36.1093
[17]	林瑞烟, 刘敏. 等离子体与外迴路有强耦合的平衡计算. 物理学报, 1984, 33(2): 250-255. doi: 10.7498/aps.33.250
[18]	段明谦, 杨桂林, 徐游, 翟宏如. S-态离子零场劈裂常数α的计算方法. 物理学报, 1983, 32(6): 770-779. doi: 10.7498/aps.32.770
[19]	顾世杰. 杂质中心吸收宽带的电声子耦合问题(Ⅱ). 物理学报, 1965, 21(4): 787-801. doi: 10.7498/aps.21.787
[20]	李荫远, 褚克弘. 杂质中心吸收宽带的电声子耦合问题(Ⅰ). 物理学报, 1965, 21(3): 481-495. doi: 10.7498/aps.21.481

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