氧在硅表面上吸附的晶向关系

邢益荣; W. RANKE

doi:10.7498/aps.35.110

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氧在硅表面上吸附的晶向关系

邢益荣 , W. RANKE

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研究简报

氧在硅表面上吸附的晶向关系

邢益荣, W. RANKE

物理学报, 1986, 35(1): 110-114.

doi: 10.7498/aps.35.110

ORIENTATION DEPENDENCE OF OXYGEN ADSORPTION ON SILICON SURFACES

XING YI-RONG, W. RANKE

Acta Phys. Sin., 1986, 35(1): 110-114.

doi: 10.7498/aps.35.110

摘要

利用AES和同步辐射光电子谱,在圆柱状的Si单晶样品上研究了氧表面吸附的晶向关系。结果表明:在350K曝氧2L时,总吸附量的晶向关系比较弱,并可利用台阶的增强吸附来解释;随着曝氧量的增加(～10L),氧原子首先从(111)面进入体内,从而支持Si(111)-(7×7)再构是属于“缺陷”类模型的结论。
Abstract
AES and photoelectron spectra obtained with synchrotron radiation have been used to study the orientation dependence of oxygen adsorption on a cylindrically shaped Si single crystal. At 350 K for 2L exposures, the results revealed that the orientation dependence of the adsorption oxygen amount is comparatively weak, and it ean be understood in terms of step-enhanced adsorption. At intermediate exposures of ～10L, the penetration of oxygen atoms into the crystal lattice was found mainly on (111) orientation. This fact supports a "defect"-type model for the Si(lll)-(7×7) reconstruction.
作者及机构信息
邢益荣²,

W. RANKE¹

(1)Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft,Faradayweg 4-6,D-1000 Berlin 33,West Germany; (2)中国科学院半导体研究所
Authors and contacts
XING YI-RONG²,

W. RANKE¹

(1)Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft,Faradayweg 4-6,D-1000 Berlin 33,West Germany; (2)中国科学院半导体研究所
参考文献

施引文献

[1]	林峰, 郑法伟, 欧阳方平. H2O在SrTiO3-(001)TiO2表面上吸附和解离的密度泛函理论研究. 物理学报, 2009, 58(13): 193-S198. doi: 10.7498/aps.58.193
[2]	许桂贵, 吴青云, 张健敏, 陈志高, 黄志高. 第一性原理研究氧在Ni(111)表面上的吸附能及功函数. 物理学报, 2009, 58(3): 1924-1930. doi: 10.7498/aps.58.1924
[3]	李波, 鲍世宁, 曹培林. 乙烯和乙炔基在Ni(110)表面上吸附结构的研究. 物理学报, 2005, 54(12): 5784-5790. doi: 10.7498/aps.54.5784
[4]	张寒洁, 颜朝军, 李海洋, 何丕模, 鲍世宁, 汪健, 徐纯一, 徐亚伯. NO在清洁和Cs覆盖的Ru(100)表面上吸附的热脱附谱. 物理学报, 2000, 49(3): 577-580. doi: 10.7498/aps.49.577
[5]	向嵩, 庄军, 刘磊. 吸附原子在Ag,Pt,Au(110)表面上的自扩散现象. 物理学报, 1998, 47(4): 678-685. doi: 10.7498/aps.47.678
[6]	李海洋, 鲍世宁, 张训生, 范朝阳, 徐亚伯. CO与Cs在Ru(101-0)表面上的共吸附研究. 物理学报, 1997, 46(3): 544-549. doi: 10.7498/aps.46.544
[7]	方炎, 李勤, 周群. 苯甲酸和对羟基苯甲酸与Cl~-在银表面上吸附竞争的SERS研究. 物理学报, 1995, 44(9): 1390-1394. doi: 10.7498/aps.44.1390
[8]	杨宗献, 张涛. CO和O在无序二元合金NiCu表面上的化学吸附. 物理学报, 1991, 40(2): 269-274. doi: 10.7498/aps.40.269
[9]	乔皓, 张开明. 碱金属在GaAs(110)表面上的吸附. 物理学报, 1991, 40(11): 1840-1845. doi: 10.7498/aps.40.1840
[10]	鲍世宁, 黄清龙, 徐亚伯. 一氧化碳分子在铁(110)表面上吸附的角分辨紫外光电子谱. 物理学报, 1989, 38(7): 1154-1161. doi: 10.7498/aps.38.1154
[11]	朱福荣, 罗艳生, 戴道宣. 低温下水汽在Si(111)7×7表面上的化学吸附. 物理学报, 1989, 38(2): 296-300. doi: 10.7498/aps.38.296
[12]	程路. 激光束在漫射表面上的散射(Ⅲ). 物理学报, 1988, 37(3): 460-462. doi: 10.7498/aps.37.460
[13]	侯晓远；杨曙；董国胜；丁训民；王迅. 用HREELS研究氢在GaAs和InP的（111），（III）表面上的吸附. 物理学报, 1987, 36(8): 1070-1074. doi: 10.7498/aps.36.1070
[14]	樊永年. 碳和氧在钼(110)表面上形成的有序结构. 物理学报, 1986, 35(3): 384-388. doi: 10.7498/aps.35.384
[15]	屠礼勋, 孙玉珍. Ga在Ni(111)表面上形成的超结构. 物理学报, 1985, 34(7): 964-967. doi: 10.7498/aps.34.964
[16]	徐永年, 张开明. Ⅶ族元素在Si(111)和Ge(111)表面上的吸附. 物理学报, 1984, 33(11): 1619-1623. doi: 10.7498/aps.33.1619
[17]	俞鸣人, 王虹川, 方志烈, 侯晓远, 王迅. InP清洁表面上电子感应吸附氧的研究. 物理学报, 1984, 33(12): 1713-1718. doi: 10.7498/aps.33.1713
[18]	程路, 张炳泉. 激光束在漫射表面上的散射(Ⅱ). 物理学报, 1980, 29(12): 1570-1580. doi: 10.7498/aps.29.1570
[19]	程路. 激光束在漫射表面上的散射. 物理学报, 1979, 28(4): 470-481. doi: 10.7498/aps.28.470
[20]	黄景森. 扩散硼后在硅表面上生成的表面膜的一种消除法. 物理学报, 1964, 20(3): 285-286. doi: 10.7498/aps.20.285

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物理学报. 1986, 35(1): 110-114.

doi: 10.7498/aps.35.110.

研究简报

氧在硅表面上吸附的晶向关系

邢益荣²
W. RANKE¹

1. (1)Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft,Faradayweg 4-6,D-1000 Berlin 33,West Germany; (2)中国科学院半导体研究所

收稿日期: 1985-01-14
刊出日期: 2005-07-14

摘要: 利用AES和同步辐射光电子谱,在圆柱状的Si单晶样品上研究了氧表面吸附的晶向关系。结果表明:在350K曝氧2L时,总吸附量的晶向关系比较弱,并可利用台阶的增强吸附来解释;随着曝氧量的增加(～10L),氧原子首先从(111)面进入体内,从而支持Si(111)-(7×7)再构是属于“缺陷”类模型的结论。

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作者及机构信息

(1)Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft,Faradayweg 4-6,D-1000 Berlin 33,West Germany; (2)中国科学院半导体研究所

Authors and contacts

(1)Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft,Faradayweg 4-6,D-1000 Berlin 33,West Germany; (2)中国科学院半导体研究所

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