[1] |
董建军, 邓博, 曹柱荣, 江少恩. 多目标优化推断内爆芯部温度和密度空间分布. 物理学报,
2014, 63(12): 125209.
doi: 10.7498/aps.63.125209
|
[2] |
缑 洁, 何志巍, 潘国辉, 王印月. 用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度. 物理学报,
2006, 55(6): 2936-2940.
doi: 10.7498/aps.55.2936
|
[3] |
成步文, 姚 飞, 薛春来, 张建国, 李传波, 毛容伟, 左玉华, 罗丽萍, 王启明. 带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态. 物理学报,
2005, 54(9): 4350-4353.
doi: 10.7498/aps.54.4350
|
[4] |
陈光华, 郭永平, 姚江宏, 宋志忠, 张仿清. a-Si:H/a-SiCx:H超晶格的界面特性. 物理学报,
1994, 43(11): 1847-1853.
doi: 10.7498/aps.43.1847
|
[5] |
李先皇, 陆昉, 孙恒慧. 用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移. 物理学报,
1993, 42(7): 1153-1159.
doi: 10.7498/aps.42.1153
|
[6] |
王向东, 胡际璜, 葛毓青, 戴道宣. Si(100)表面电子态的总电流谱研究. 物理学报,
1992, 41(6): 992-998.
doi: 10.7498/aps.41.992
|
[7] |
王洪, 朱美芳, 郑德娟. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格中空间电势分布和光电导的理论计算. 物理学报,
1992, 41(8): 1338-1344.
doi: 10.7498/aps.41.1338
|
[8] |
钟战天, 王大文, 廖显伯, 范越, 李承芳, 牟善明. Au/a-Si:H界面X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究. 物理学报,
1991, 40(2): 275-280.
doi: 10.7498/aps.40.275
|
[9] |
王志超, 滕敏康, 刘吟春. 用正电子湮没技术研究a-Si:H/a-SiNx:H多层膜中的界面缺陷. 物理学报,
1991, 40(12): 1973-1979.
doi: 10.7498/aps.40.1973
|
[10] |
彭少麒;苏子敏;刘景希. a-Si:H结的横向光生伏特效应. 物理学报,
1989, 38(8): 1235-1244.
doi: 10.7498/aps.38.1235
|
[11] |
戴国才, 张瑞勤, 关大任, 蔡政亭. a-Si:H掺杂机理的研究. 物理学报,
1989, 38(5): 829-833.
doi: 10.7498/aps.38.829
|
[12] |
朱美芳, 许政一. 用热激电导谱确定非晶态半导体能隙态密度的研究. 物理学报,
1989, 38(12): 1988-1995.
doi: 10.7498/aps.38.1988
|
[13] |
张瑞勤, 戴国才, 关大任, 蔡政亭. a-Si:H中本征缺陷引起的赝隙态. 物理学报,
1989, 38(1): 163-169.
doi: 10.7498/aps.38.163
|
[14] |
王志超, 刘湘娜, 冯小梅, 耿晰昇. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格薄膜的光学性质. 物理学报,
1988, 37(2): 189-196.
doi: 10.7498/aps.37.189
|
[15] |
王志超, 滕敏康, 张淑仪, 葛网大, 邱树业. a-Si:H和a-SiNx:H薄膜中的缺陷以及载流子的非辐射复合. 物理学报,
1988, 37(8): 1291-1297.
doi: 10.7498/aps.37.1291
|
[16] |
程兴奎, 赵文瑾, 戴国才. 高电导a-Si:H:Y合金的电输运特性. 物理学报,
1988, 37(3): 481-484.
doi: 10.7498/aps.37.481
|
[17] |
王树林, 程如光. a-Si:H/a-SiNx:H超晶格的掺杂效应. 物理学报,
1988, 37(7): 1119-1123.
doi: 10.7498/aps.37.1119
|
[18] |
吴文豪, 韩大星. 用红外光激励电流法研究非晶半导体带隙态分布. 物理学报,
1988, 37(6): 916-923.
doi: 10.7498/aps.37.916
|
[19] |
王万录, 廖克俊. 非晶态异质结构a-Si:H/a-SiNx:H和a-Si:H,a-SiNx:H薄膜的应力研究. 物理学报,
1987, 36(12): 1529-1537.
doi: 10.7498/aps.36.1529
|
[20] |
陈光华, 彭应全, 陈继红. a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论. 物理学报,
1987, 36(4): 524-528.
doi: 10.7498/aps.36.524
|