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150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性

刘志宏 陈蒲生 刘百勇 郑耀宗

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150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性

刘志宏, 陈蒲生, 刘百勇, 郑耀宗

BREAKDOWN CHARACTERISTICS OF RAPID THERMAL NITRIDED SiO2 FILM OF 150? THICKNESS

LIU ZHI-HONG, CHEN PU-SHENG, LIU BAI-YONG, CHENG YAO-ZONG
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  • 对具有器件质量的150?厚SiO2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO2/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。
    The silicon dioxide film of thickness 150? with device quality has been nitrided thermally by conventional long time method and high temperature rapid method. For the films breakdown characteristics and endurance under high field were investigated. These results indicate that after nitridation, the distribution of breakdown field strength narrows, its dependence on electrode area decreases, and the maximum breakdown field strength degrades slightly. At the same time, SiO2/Si interface stability under high field and time-dependent dielectric breakdown characteristics are improved by thermal nitridation. The improvement depends strongly oh both the electrode direction of applied gate voltage and nitridation processing condition. According to the mechanism of current transport, we suggest a breakdown model in which charge accumulation, trapping density and position of its center of gravity are all considered.
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-03-19
  • 刊出日期:  2005-06-28

150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性

  • 1. (1)华南理工大学物理系,广州,510641; (2)香港城市理工学院电子工程系; (3)香港大学电机与电子工程系

摘要: 对具有器件质量的150?厚SiO2膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO2/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。

English Abstract

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