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大涨落作用下损耗模式RF-SQUID磁通跃迁性质的研究

王晓辉 金新 姚希贤

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大涨落作用下损耗模式RF-SQUID磁通跃迁性质的研究

王晓辉, 金新, 姚希贤

FLUX TRANSITION PROPERTIES OF RF-SQUID IN THE DIS-SIPATIVE MODE IN THE PRESENCE OF LARGE FLUCTUATION

WANG XIAO-HUI, JIN XIN, YAO XI-XIAN
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-12-18
  • 刊出日期:  1991-05-05

大涨落作用下损耗模式RF-SQUID磁通跃迁性质的研究

  • 1. 南京大学物理系,南京,210008

摘要: 本文分析了大涨落作用下损耗模式RF-SQUID能够正常工作的条件,得到了此条件下磁通跃迁的几率密度并由此求出磁通跃迁平均值及其宽度。结果表明:大的热涨落使RF-SQUID环路有效临界电流明显下降,从而使跃迁点大大提前,跃迁宽度满足一个普适表达式。

English Abstract

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