硅化物薄膜的质子弹性散射分析

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硅化物薄膜的质子弹性散射分析

朱沛然 , 江伟林 , 徐天冰 , 殷士端

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硅化物薄膜的质子弹性散射分析

朱沛然, 江伟林, 徐天冰, 殷士端

物理学报, 1992, 41(12): 2049-2054.

doi: 10.7498/aps.41.2049

MeV PROTON ELASTIC BACKSCATTERING ANALYSIS OF SiNx/Si AND SiOx/Si FILMS

ZHU FEI-RAN, JIANG WEI-LIN, XU TIAN-BING, YIN SHI-DUAN

Acta Phys. Sin., 1992, 41(12): 2049-2054.

doi: 10.7498/aps.41.2049

摘要

本文报道了一种分析硅衬底上SiNx和SiOx的N/Si和O/Si含量比的简便方法。用1.95MeV质子弹性散射测量薄膜(9000—15000)的组分比和厚度,实验值与2.1MeVHe的背散射分析(RBS)结果符合得很好;对微米以上厚度样品,MeVH束分析更为有利,这是与He束背散射分析互补的一种方法。文中给出了实验结果,并进行了讨论。
Abstract
A simple method for the analysis of concentration ratios N/Si and O/Si in SiNx/Si and SiOx/Si is presented. 1.95 MeV H beam elastic backscattering was used to determine the composition and thickness. A comparison with 2.1 MeV He beam Rutherford backscsttering (RBS) is given. It provides a complementary analysis technique. A brief discussion on results is given.
作者及机构信息
朱沛然²,

江伟林²,

徐天冰²,

殷士端¹

(1)中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080
Authors and contacts
ZHU FEI-RAN²,

JIANG WEI-LIN²,

XU TIAN-BING²,

YIN SHI-DUAN¹

(1)中国科学院半导体研究所,北京100083; (2)中国科学院物理研究所,北京100080
参考文献

施引文献

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第41卷，第12期 - 1992年06月20日

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