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形变Si,Ge中的深能级

乔皓 徐至中 张开明

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形变Si,Ge中的深能级

乔皓, 徐至中, 张开明

DEEP LEVELS IN STRAINED Si AND Ge

QIAO HAO, XU ZHI-ZHONG, ZHANG KAI-MING
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-02-25
  • 刊出日期:  2005-07-10

形变Si,Ge中的深能级

  • 1. 复旦大学物理系,上海200433

摘要: 对生长在合金衬底上的形变Si或Ge中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究。其中形变体材料的电子结构用经验的紧束缚方法进行计算,缺陷能级采用格林函数法进行计算出。结果表明,晶格中的形变使原来类p的T2能级发生分裂,其数值随形变的增加而增大。形变还造成Si和Ge的价带顶有较大的上升,从而使某些杂质的缺陷能级由深能级变为共振能级。

English Abstract

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