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重碳掺杂p型GaAs中纵光学声子与等离振子耦合模的Raman散射特性

齐鸣 罗晋生 白樫淳一 野崎真次 高桥清 德光永辅 小长井诚

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重碳掺杂p型GaAs中纵光学声子与等离振子耦合模的Raman散射特性

齐鸣, 罗晋生, 白樫淳一, 野崎真次, 高桥清, 德光永辅, 小长井诚

RAMAN SCATTERING STUDY OF LO PHONON-PLASMON COUPLED MODE IN HEAVILY CARBON DOPED p-TYPE GaAs

QI MING, LUO JIN-SHENG, J. SHIRAKASHI, S. NOZAKI, K. TAKAHASHI, E. TOKUMITSU, M. KONAGAI
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-04-28
  • 刊出日期:  1993-03-05

重碳掺杂p型GaAs中纵光学声子与等离振子耦合模的Raman散射特性

  • 1. (1)东京工业大学电气电子工学科,东京152,日本; (2)东京工业大学电子物理工学科,东京152,日本; (3)西安交通大学电子工程系,西安710049

摘要: 对用MOMBE法生长的重C掺杂p型GaAs进行了Raman散射研究,结合理论分析,较好地解释了p型GaAs中纵光学(LO)声子与空穴等离振子耦合(LOPC)模的Raman散射特性,证明它具有与n型状态不同的特点,根据实验结果讨论了重掺杂对Raman散射谱的影响,发现LOPC模的散射峰特征(位置和宽度)与重掺杂效应程度具有很大关系。

English Abstract

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