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Cd(S,Se)薄膜的结构及退火环境对其电导性能的影响

郑毓峰 邓榕平 查朝征 戴伯荣 石磊 周贵恩

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Cd(S,Se)薄膜的结构及退火环境对其电导性能的影响

郑毓峰, 邓榕平, 查朝征, 戴伯荣, 石磊, 周贵恩

Zheng Yu-Feng, Deng Rong-Peng, Zha Chao-Zheng, Dai Bo-Rong, Shi Lei, Zhou Gui-En
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  • 分析了两种Cd(S,Se)薄膜的结构特征.讨论了薄膜在不同退火环境中的电导率、迁移率和载流子浓度随退火温度的变化规律.结果表明,空气中退火的掺杂烧结膜电导率随退火温度升高而减小,主要由迁移率减小所致;氮气中退火的烧结膜电导率随退火温度升高而增大,主要是由载流子浓度增大引起的.蒸发膜在不同气氛下退火,电导都随温度升高而增大,同时迁移率和载流于浓度都有增加.在光激发下,氮气和空气中退火的掺杂烧结膜表现出相反的温度依赖关系.利用Seto模型计算的结果与实验值基本符合.
    • 基金项目: 国家自然科学基金资助的课题
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-05-31
  • 刊出日期:  1995-01-05

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