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												2016, 65(11): 118105.
												
												doi: 10.7498/aps.65.118105
											
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									| [2] | 
									
										杨文献, 季莲, 代盼, 谭明, 吴渊渊, 卢建娅, 李宝吉, 顾俊, 陆书龙, 马忠权. 基于分子束外延生长的1.05 eV InGaAsP的超快光学特性研究. 物理学报,
												2015, 64(17): 177802.
												
												doi: 10.7498/aps.64.177802
											
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									| [3] | 
									
										祝梦遥, 鲁军, 马佳淋, 李利霞, 王海龙, 潘东, 赵建华. 高质量稀磁半导体(Ga, Mn)Sb单晶薄膜分子束外延生长. 物理学报,
												2015, 64(7): 077501.
												
												doi: 10.7498/aps.64.077501
											
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										苏少坚, 张东亮, 张广泽, 薛春来, 成步文, 王启明. Ge(001)衬底上分子束外延生长高质量的Ge1-xSnx合金. 物理学报,
												2013, 62(5): 058101.
												
												doi: 10.7498/aps.62.058101
											
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										延凤平, 郑 凯, 王 琳, 李一凡, 龚桃荣, 简水生, 尾形健一, 小池一步, 佐佐诚彦, 井上正崇, 矢野满明. 分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.56.4127
											
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										徐晓华, 牛智川, 倪海桥, 徐应强, 张  纬, 贺正宏, 韩  勤, 吴荣汉, 江德生. 分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.54.2950
											
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										王庆学, 杨建荣, 孙  涛, 魏彦锋, 方维政, 何  力. Hg1-xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.54.3726
											
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										黄仕华, 莫玉东. Hg1-xCdxTe的共振拉曼散射. 物理学报,
												2001, 50(5): 964-967.
												
												doi: 10.7498/aps.50.964
											
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										卢励吾, 张砚华, GE WEI-KUN, I.K.SOU, Y.WANG, J.WANG, Z.H.MA, W.S.CHEN, G.K.L.WONG. 分子束外延生长的n型Al掺杂ZnS1-xTex深中心研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.47.286
											
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										常勇, 褚君浩, 唐文国, 沈文忠, 汤定元. Sb掺杂Hg1-xCdxTe的光致发光. 物理学报,
												1997, 46(5): 959-963.
												
												doi: 10.7498/aps.46.959
											
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									| [11] | 
									
										李标, 褚君浩, 朱基千, 陈新强, 曹菊英, 汤定元. 不同邻晶面Hg1-xCdxTe外延薄膜的特性分析. 物理学报,
												1997, 46(6): 1168-1173.
												
												doi: 10.7498/aps.46.1168
											
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										李标, 褚君浩, 石晓红, 陈新强, 曹菊英, 汤定元. Hg1-xCdxTe外延薄膜的自由载流子吸收. 物理学报,
												1996, 45(9): 1430-1437.
												
												doi: 10.7498/aps.45.1430
											
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										韦亚一, 郑国珍, 郭少令, 汤定元. 低补偿度n-Hg1-xCdxTe的磁致金属-绝缘体相变和相变后的温度激活输运行为. 物理学报,
												1994, 43(12): 2031-2037.
												
												doi: 10.7498/aps.43.2031
											
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										周国良, 盛篪, 樊永良, 蒋维栋, 俞鸣人. GexSi1-x/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究. 物理学报,
												1993, 42(7): 1121-1128.
												
												doi: 10.7498/aps.42.1121-2
											
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										周洁, 卢励吾, 韩志勇, 梁基本. 分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究. 物理学报,
												1991, 40(11): 1827-1832.
												
												doi: 10.7498/aps.40.1827
											
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										周国良;盛篪;樊永良;蒋维栋;俞鸣人. Ge_xSi_1-x_/Si应变层超晶格的分子束外延生长及其特性研究. 物理学报,
												1991, 40(7): 1121-1128.
												
												doi: 10.7498/aps.40.1121
											
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										袁皓心, 李齐光, 姜山, 陆卫, 童斐明, 汤定元. Hg1-xCdxTe n+-p光电二极管中的深能级及其电流机构的流体静压力研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.39.464
											
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										邓容平;蒋维栋;孙恒慧. 分子束外延生长Si/GaP(III)异质结的界面特性. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.38.1265
											
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										郑国珍, 郭少令, 汤定元. n-Hg1-xCdxTe的Shubnikov-de Haas振荡. 物理学报,
												1987, 36(1): 114-119.
												
												doi: 10.7498/aps.36.114
											
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										傅柔励. Hg1-xCdxTe的低频吸收带. 物理学报,
												1986, 35(10): 1299-1305.
												
												doi: 10.7498/aps.35.1299
											
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