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赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

陈张海 胡灿明 陈建新 史国良 刘普霖 沈学础 李爱珍

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赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

陈张海, 胡灿明, 陈建新, 史国良, 刘普霖, 沈学础, 李爱珍

STUDY ON CYCLOTRON RESONANCE SPECTRA OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GASES IN PSEUDOMORPHIC InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As HETEROJUNCTIONS

CHEN ZHANG-HAI, HU CAN-MING, CHEN JIAN-XIN, SHI GUO-LIANG, LIU PU-LIN, SHEN XUE-CHU, LI AI-ZHEN
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  • 采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.
    The electron effective masses, scattering time and mobilities near the Fermi level for the lowest two subbands of the two-dimensional electron gases in a pseudomorphic In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT structure are determined by fitting the cyclotron resonance spectra. The significant enhancement of the electron effective masses, resulting from the conduction band nonparabolicity and the wave function penetration, is observed. The evident subband dependencies of the electron scattering time and mobilities dominated by the alloy scattering and ionized impurities scattering are also discussed.
    • 基金项目: 国家自然科学基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-07-02
  • 修回日期:  1997-08-19
  • 刊出日期:  1998-03-05

赝形InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究

  • 1. (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.

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