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氮化硅薄膜的微结构

陈俊芳 王卫乡 刘颂豪 任兆杏

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氮化硅薄膜的微结构

陈俊芳, 王卫乡, 刘颂豪, 任兆杏

MICROSTRUCTURE OF SILICON NITRIDE THIN FILM

CHEN JUN-FANG, WANG WEI-XIANG, LIU SONG-HAO, REN ZHAO-XING
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  • 利用TEM,STM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si3N4薄膜的微结构.结果表明:在较低沉积温度下,ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜是一种纳米α-Si3N4薄膜,其晶粒粒度在14—29nm间,而且这种薄膜具有较好的表面平整度.初步分析了ECR-PECVD制备的Si3N4在较低沉积温度下形成晶态薄膜的机理.
    The microstructure of silicon nitride thin film prepared by ECR-PECVD is studied by transmission electron microscopy (TEM), scanning tunnel microscopy (STM) and PDS microphotometer. The results indicate that the Si3N4 thin film prepared by ECR-PECVD at lower temperature is the nano-Si3N4 thin film , the crystalline grain size lies between 14 to 29nm ,and this kind of Si3N4 thin film has fine surface planeness. We analyzed the mechanism of the formation of crystalline Si3N4 thin film at lower deposition temperature.
    • 基金项目: 广东省自然科学基金(批准号:970317)、高教厅科研基金(批准号:06204)及中国博士后科学基金(批准号:[1997]7号)资助课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-12-08
  • 刊出日期:  1998-09-20

氮化硅薄膜的微结构

  • 1. (1)华南师范大学量子电子研究所,广州 510631; (2)华南师范大学物理系,广州 510631; (3)中国科学院等离子体物理研究所,合肥 230031
    基金项目: 

    广东省自然科学基金(批准号:970317)、高教厅科研基金(批准号:06204)及中国博士后科学基金(批准号:[1997]7号)资助课题.

摘要: 利用TEM,STM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si3N4薄膜的微结构.结果表明:在较低沉积温度下,ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜是一种纳米α-Si3N4薄膜,其晶粒粒度在14—29nm间,而且这种薄膜具有较好的表面平整度.初步分析了ECR-PECVD制备的Si3N4在较低沉积温度下形成晶态薄膜的机理.

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