赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

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赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

桂永胜 , 郑国珍 , 郭少令 , 褚君浩 , 汤定元 , 陈建新 , 李爱珍

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赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

桂永胜, 郑国珍, 郭少令, 褚君浩, 汤定元, 陈建新, 李爱珍

物理学报, 1999, 48(1): 121-126.

doi: 10.7498/aps.48.121

SPIN SPLITTING IN PSEUDOMORPHIC InGaAs/InAlAs GRADED HETEROSTRUCTURES AS B→0

GUI YONG-SHENG, ZHENG GUO-ZHEN, GUO SHAO-LING, CHU JUN-HAO, TANG DING-YUAN, CHEN JIAN-XIN, LI AI-ZHENG

Acta Phys. Sin., 1999, 48(1): 121-126.

doi: 10.7498/aps.48.121

摘要

在赝形渐变InGaAs/In0.52Al0.48As异质结的二维电子气中，发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为，通过振荡中的拍频现象，发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV.
Abstract
The spin splitting in zero magnetic field between the up- and down-spin electrons in a two-dimensional electron gas is obtained for a pseudomorphic InGaAs/In0.52Al0.48As graded heterostructure.We have studied the spin splitting in the heterostructure by means of the Shubnikov-de Haas oscillations.By analyzing the characteristic beating pattern of the oscillations,a spin splitting of 8.76meV was determined as B→0.
作者及机构信息
桂永胜¹,

郑国珍¹,

郭少令¹,

褚君浩¹,

汤定元¹,

陈建新²,

李爱珍²

(1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083; (2)中国科学院上海冶金研究所功能材料国家重点实验室，上海 200050
Authors and contacts
GUI YONG-SHENG¹,

ZHENG GUO-ZHEN¹,

GUO SHAO-LING¹,

CHU JUN-HAO¹,

TANG DING-YUAN¹,

CHEN JIAN-XIN²,

LI AI-ZHENG²

(1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083; (2)中国科学院上海冶金研究所功能材料国家重点实验室，上海 200050
参考文献

施引文献

目录

第48卷，第1期 - 1999年01月05日

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