| [1] |
吴洋, 胡晓, 刘博文, 顾溢, 查访星. In0.52Al0.48As/InP的正向和反向异质结在带隙附近的不同光谱现象. 物理学报,
2024, 73(2): 027801.
doi: 10.7498/aps.73.20231339
|
| [2] |
孙鹏斐, 朱科建, 许鹏飞, 刘兴鹏, 孙堂友, 李海鸥, 周治平. 超紧凑硅基混合表面等离激元光场窄化器件的实验研究. 物理学报,
2022, 71(19): 196201.
doi: 10.7498/aps.71.20212340
|
| [3] |
许佳玲, 贾利云, 刘超, 吴佺, 赵领军, 马丽, 侯登录. Li(Na)AuS体系拓扑绝缘体材料的能带结构. 物理学报,
2021, 70(2): 027101.
doi: 10.7498/aps.70.20200885
|
| [4] |
刘亮, 韩德专, 石磊. 等离激元能带结构与应用. 物理学报,
2020, 69(15): 157301.
doi: 10.7498/aps.69.20200193
|
| [5] |
沈丹萍, 张晓东, 孙艳, 康亭亭, 戴宁, 褚君浩, 俞国林. 负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究. 物理学报,
2017, 66(24): 247301.
doi: 10.7498/aps.66.247301
|
| [6] |
冯松, 薛斌, 李连碧, 翟学军, 宋立勋, 朱长军. 一种新型Si/SiGe/Si双异质结PIN电学调制结构的异质结能带分析. 物理学报,
2016, 65(5): 054201.
doi: 10.7498/aps.65.054201
|
| [7] |
邹俊辉, 张娟. 混合准周期异质结构的带隙补偿与展宽. 物理学报,
2016, 65(1): 014214.
doi: 10.7498/aps.65.014214
|
| [8] |
王文娟, 王海龙, 龚谦, 宋志棠, 汪辉, 封松林. 外电场对InGaAsP/InP量子阱内激子结合能的影响. 物理学报,
2013, 62(23): 237104.
doi: 10.7498/aps.62.237104
|
| [9] |
周守利, 李伽, 任宏亮, 温浩, 彭银生. 异质结界面电荷对突变InP/InGaAs异质结双极晶体管热场发射影响研究. 物理学报,
2013, 62(17): 178501.
doi: 10.7498/aps.62.178501
|
| [10] |
段子刚, 黄晓东, 周宁, 徐光辉, 柴广跃. 1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长. 物理学报,
2010, 59(9): 6193-6199.
doi: 10.7498/aps.59.6193
|
| [11] |
姚 飞, 薛春来, 成步文, 王启明. 重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响. 物理学报,
2007, 56(11): 6654-6659.
doi: 10.7498/aps.56.6654
|
| [12] |
马小涛, 郑婉华, 任 刚, 樊中朝, 陈良惠. 感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究. 物理学报,
2007, 56(2): 977-981.
doi: 10.7498/aps.56.977
|
| [13] |
全知觉, 孙立忠, 叶振华, 李志锋, 陆 卫. 碲镉汞异质结能带结构的优化设计. 物理学报,
2006, 55(7): 3611-3616.
doi: 10.7498/aps.55.3611
|
| [14] |
潘教青, 赵 谦, 朱洪亮, 赵玲娟, 丁 颖, 王宝军, 周 帆, 王鲁峰, 王 圩. 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备. 物理学报,
2006, 55(10): 5216-5220.
doi: 10.7498/aps.55.5216
|
| [15] |
徐章程, 贾国治, 孙 亮, 姚江宏, 许京军, J. M. Hvam, 王占国. 亚单层InGaAs量子点-量子阱异质结构的时间分辨光致发光谱. 物理学报,
2005, 54(11): 5367-5371.
doi: 10.7498/aps.54.5367
|
| [16] |
陈建新, 李爱珍, 任尧成, K.Friedland. 赝配InGaAs/InAlAs调制掺杂异质结构的Shubnikov-de Haas振荡. 物理学报,
1998, 47(5): 796-801.
doi: 10.7498/aps.47.796
|
| [17] |
李晋闽, 郭里辉, 侯洵. 场助InP/InGaAsP半导体光电阴极量子效率的理论计算. 物理学报,
1992, 41(10): 1672-1678.
doi: 10.7498/aps.41.1672
|
| [18] |
王启明, 朱龙德, 曹其萍. 质子轰击条形结构InGaAsP/InP内调Q DH双稳态激光器. 物理学报,
1985, 34(8): 1102-1106.
doi: 10.7498/aps.34.1102
|
| [19] |
王德宁, 曹锁舜. 隐埋“月牙”形InGaAsP/InP激光器动态特性研究. 物理学报,
1984, 33(5): 602-611.
doi: 10.7498/aps.33.602
|
| [20] |
杨玉芬. 双异质结双漂移区InP/InGaAsP/InP微波雪崩二极管的设想. 物理学报,
1981, 30(6): 794-801.
doi: 10.7498/aps.30.794
|
下载:
