| [1] |
李洋帆, 郭红霞, 张鸿, 白如雪, 张凤祁, 马武英, 钟向丽, 李济芳, 卢小杰. 双沟槽SiC 金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应. 物理学报,
2024, 73(2): 026103.
doi: 10.7498/aps.73.20231440
|
| [2] |
周悦, 胡志远, 毕大炜, 武爱民. 硅基光电子器件的辐射效应研究进展. 物理学报,
2019, 68(20): 204206.
doi: 10.7498/aps.68.20190543
|
| [3] |
彭超, 恩云飞, 李斌, 雷志锋, 张战刚, 何玉娟, 黄云. 绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究. 物理学报,
2018, 67(21): 216102.
doi: 10.7498/aps.67.20181372
|
| [4] |
姜柯, 陆妩, 胡天乐, 王信, 郭旗, 何承发, 刘默涵, 李小龙. 电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性. 物理学报,
2015, 64(13): 136103.
doi: 10.7498/aps.64.136103
|
| [5] |
杨帅, 汤晓燕, 张玉明, 宋庆文, 张义门. 电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响. 物理学报,
2014, 63(20): 208501.
doi: 10.7498/aps.63.208501
|
| [6] |
范敏敏, 徐静平, 刘璐, 白玉蓉, 黄勇. 高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计. 物理学报,
2014, 63(8): 087301.
doi: 10.7498/aps.63.087301
|
| [7] |
胡辉勇, 刘翔宇, 连永昌, 张鹤鸣, 宋建军, 宣荣喜, 舒斌. γ射线总剂量辐照效应对应变Sip型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压与跨导的影响研究. 物理学报,
2014, 63(23): 236102.
doi: 10.7498/aps.63.236102
|
| [8] |
刘翔宇, 胡辉勇, 张鹤鸣, 宣荣喜, 宋建军, 舒斌, 王斌, 王萌. 具有poly-Si1-xGex栅的应变SiGep型金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压漂移模型研究. 物理学报,
2014, 63(23): 237302.
doi: 10.7498/aps.63.237302
|
| [9] |
刘红侠, 王志, 卓青青, 王倩琼. 总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响. 物理学报,
2014, 63(1): 016102.
doi: 10.7498/aps.63.016102
|
| [10] |
辛艳辉, 刘红侠, 范小娇, 卓青青. 单Halo全耗尽应变Si 绝缘硅金属氧化物半导体场效应管的阈值电压解析模型. 物理学报,
2013, 62(10): 108501.
doi: 10.7498/aps.62.108501
|
| [11] |
孙鹏, 杜磊, 陈文豪, 何亮, 张晓芳. 金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究. 物理学报,
2012, 61(10): 107803.
doi: 10.7498/aps.61.107803
|
| [12] |
高博, 刘刚, 王立新, 韩郑生, 张彦飞, 王春林, 温景超. 国产星用VDMOS器件总剂量辐射损伤效应研究. 物理学报,
2012, 61(17): 176107.
doi: 10.7498/aps.61.176107
|
| [13] |
范雪, 李威, 李平, 张斌, 谢小东, 王刚, 胡滨, 翟亚红. 基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究. 物理学报,
2012, 61(1): 016106.
doi: 10.7498/aps.61.016106
|
| [14] |
高博, 余学峰, 任迪远, 崔江维, 兰博, 李明, 王义元. p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究. 物理学报,
2011, 60(6): 068702.
doi: 10.7498/aps.60.068702
|
| [15] |
王晓艳, 张鹤鸣, 王冠宇, 宋建军, 秦珊珊, 屈江涛. 漏致势垒降低效应对短沟道应变硅金属氧化物半导体场效应管阈值电压的影响. 物理学报,
2011, 60(2): 027102.
doi: 10.7498/aps.60.027102
|
| [16] |
翟亚红, 李平, 张国俊, 罗玉香, 范雪, 胡滨, 李俊宏, 张健, 束平. 抗辐射双极n-p-n晶体管的研究. 物理学报,
2011, 60(8): 088501.
doi: 10.7498/aps.60.088501
|
| [17] |
何宝平, 丁李利, 姚志斌, 肖志刚, 黄绍燕, 王祖军. 超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟. 物理学报,
2011, 60(5): 056105.
doi: 10.7498/aps.60.056105
|
| [18] |
刘红侠, 尹湘坤, 刘冰洁, 郝跃. 应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型. 物理学报,
2010, 59(12): 8877-8882.
doi: 10.7498/aps.59.8877
|
| [19] |
全荣辉, 韩建伟, 黄建国, 张振龙. 电介质材料辐射感应电导率的模型研究. 物理学报,
2007, 56(11): 6642-6647.
doi: 10.7498/aps.56.6642
|
| [20] |
张廷庆, 刘传洋, 刘家璐, 王剑屏, 黄智, 徐娜军, 何宝平, 彭宏论, 姚育娟. 低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应. 物理学报,
2001, 50(12): 2434-2438.
doi: 10.7498/aps.50.2434
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