Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

刘  鹏; 杨同青; 张良莹; 姚  熹

doi:10.7498/aps.49.2300

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Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

刘鹏 , 杨同青 , 张良莹 , 姚熹

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Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

刘鹏, 杨同青, 张良莹, 姚熹

物理学报, 2000, 49(11): 2300-2303.

doi: 10.7498/aps.49.2300

INVESTIGATION OF DIFFUSED PHASE TRANSITION AND POLAR RELAXATION IN Pb(Zr,Sn,Ti)O3 ANTIFERROELECTRIC CERAMICS

LIU PENG, YANG TONG-QING, ZHANG LIANG-YING, YAO XI

Acta Phys. Sin., 2000, 49(11): 2300-2303.

doi: 10.7498/aps.49.2300

摘要
用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST)反铁电(AFEt)陶瓷在-100—180℃温区内的结构与电学特性.弱场介电温谱显示，AFEt陶瓷在低温段(-100—50℃)呈现介电频率弥散(0.1—100kHz)和扩散型相变的特征，而变温X射线衍射谱却表明材料在这一温区内保持四方相结构；低温下经强场作用后，AFEt被诱导为亚稳三方铁电态，介电频率弥散消失.基于多元复杂化合物的组分起伏理论，讨论了PZST AFEt陶瓷

关键词:
Pb(Zr /

Sn /

Ti)O3反铁电陶瓷 /

反铁电弛豫 /

相变 /

变温X射线衍射
Abstract
Microstructure and electrical properties of lanthanum-modified Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST) antiferroelectric (AFE) ceramics have been investigated by weak field dielectric, pyroelectric response, strong field polarization, and X-ray diffraction (XRD) techniques at different temperatures. Diffused phase transition and dielectric frequency dispersion (0.1—100kHz) have been observed within the temperature range of -100—50℃. However, XRD indicates that AFE ceramics are of tetragonal phase within the above-mentioned temperature range. Under a strong electric field, AFEt will be switched to a metastable ferroelectric (MFE) state, accompanying with the disappearance of dielectric frequency dispersion. Then the MFE state changes to AFE state again as temperature increases, producing a strong pyroelectric current peak. A new model considering compositional fluctuation on a nanometer scale in PZST antiferroelectric ceramics has been suggested to explain the polar relaxation in AFE state.

Keywords:
Pb(Zr /

Sn /

Ti)O3 antiferroelectric ceramics /

antiferroelectric polar relaxtion /

phase transition /

X-ray diffraction at different temperature
作者及机构信息
刘鹏¹,

杨同青²,

张良莹³,

姚熹³

(1)陕西师范大学物理系，西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所，上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所，上海 200092；西安交通大学电子材料研究所，西安 710049
Authors and contacts
LIU PENG¹,

YANG TONG-QING²,

ZHANG LIANG-YING³,

YAO XI³

(1)陕西师范大学物理系，西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所，上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所，上海 200092；西安交通大学电子材料研究所，西安 710049
参考文献

施引文献

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[2]	徐然, 冯玉军, 魏晓勇, 徐卓. PbLa(Zr, Sn, Ti)O₃反铁电陶瓷在脉冲电场下的极化与相变行为. 物理学报, 2020, 69(12): 127710. doi: 10.7498/aps.69.20200209
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[20]	刘鹏, 杨同青, 徐卓, 张良莹, 姚熹. Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷场诱相变性能的改进. 物理学报, 2000, 49(9): 1852-1858. doi: 10.7498/aps.49.1852

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物理学报. 2000, 49(11): 2300-2303.

doi: 10.7498/aps.49.2300.

Pb(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的低温相变扩散与极化弛豫

1. (1)陕西师范大学物理系，西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所，上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所，上海 200092；西安交通大学电子材料研究所，西安 710049

收稿日期: 2000-05-02
刊出日期: 2000-11-20

摘要: 用弱场介电温谱、热释电流谱、强场电滞回线和变温X射线衍射谱研究了微量La掺杂Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST)反铁电(AFEt)陶瓷在-100—180℃温区内的结构与电学特性.弱场介电温谱显示，AFEt陶瓷在低温段(-100—50℃)呈现介电频率弥散(0.1—100kHz)和扩散型相变的特征，而变温X射线衍射谱却表明材料在这一温区内保持四方相结构；低温下经强场作用后，AFEt被诱导为亚稳三方铁电态，介电频率弥散消失.基于多元复杂化合物的组分起伏理论，讨论了PZST AFEt陶瓷

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作者及机构信息

(1)陕西师范大学物理系，西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所，上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所，上海 200092；西安交通大学电子材料研究所，西安 710049

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(1)陕西师范大学物理系，西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所，上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所，上海 200092；西安交通大学电子材料研究所，西安 710049

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1.
(1)陕西师范大学物理系，西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所，上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所，上海 200092；西安交通大学电子材料研究所，西安 710049

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(1)陕西师范大学物理系，西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所，上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所，上海 200092；西安交通大学电子材料研究所，西安 710049

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1. (1)陕西师范大学物理系，西安 710062; (2)同济大学功能材料研究所，上海 200092; (3)同济大学功能材料研究所，上海 200092；西安交通大学电子材料研究所，西安 710049

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