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CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

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CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

OPTICAL PROPERTIES OF CdSe/CdMnSe QUANTUM WELLS GROWN BY MEANS OF MOLECULAR BEAM EPITAXY

ZHANG XI-QING, MEI ZENG-XIA, DUAN NING, XU ZHENG, WANG YONG-SHENG, XU XU-RONG, Z.K.TANG
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  • 用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实.
    CdSe/Cd0.8Zn0.2 Se quantum wells were grown by means of molecular beam epitaxy on substrate GaAs. The emission peak from excition-exciton scattering is observed in CdSe/CdMnSe quantum wells. When weaker excitation is used, radiative recombination decay time of the exciton is reduced as the excitation intensity is decreased. The results indicate that the dominant mechanism may be quenching of exciton emission by impurities and defects.
    • 基金项目: 国家自然科学基金;高等学校骨干教师资助计划基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-10-15
  • 修回日期:  2000-12-11
  • 刊出日期:  2001-03-05

CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

  • 1. 北方交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京100044
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    高等学校骨干教师资助计划基金资助的课题.

摘要: 用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实.

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