搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究

马书懿 秦国刚 尤力平 王印月

引用本文:
Citation:

含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究

马书懿, 秦国刚, 尤力平, 王印月

COMPARATIVE STUDY ON PHOTOLUMINESCENCE FROM Si-CONTAINING SILICON OXIDE FILMS AND Ge-CONTAINING SILICON OXIDE FILMS

MA SHU-YI, QIN GUO-GANG, YOU LI-PING, WANG YIN-YUE
PDF
导出引用
  • 分别以硅-二氧化硅和锗-二氧化硅复合靶作为溅射靶,采用磁控溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米硅的氧化硅薄膜和含纳米锗的氧化硅薄膜.各样品分别在氮气氛中经过300至1100℃不同温度的退火处理.使用高分辨透射电子显微镜可以观察到经900和1100℃退火的含纳米硅的氧化硅薄膜中的纳米硅粒,和经900和1100℃退火的含纳米锗的氧化硅薄膜中的纳米锗粒.经过不同温度退火处理的含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光致发光谱均具有相似的峰型,且它们的发光峰位均位于580nm(2.1eV)附近.可以认为含纳米硅的氧化硅和含纳米锗的氧化硅薄膜的光发射主要来自于SiO2层中发光中心上的复合发光,对实验结果进行了合理的解释
    Si-containing silicon oxide (SSO) films and Ge-containing silicon oxide (GSO) films were deposited on p-type Si substrates using the RF magnetron sputtering technique with a Si-SiO2 and a Ge-SiO2 composite target, respectively. These films were annealed in a N2 ambient at temperatures from 300 to 1100℃. Using high resolution transmission electron microscopy,nanometer Si particles and nanometer Ge particles were observed in the SSO and GSO films,respectively,after annealing at 900 or 1100℃. All the PL spectra from the two types of films annealed at various temperatures have similar shapes with peak positions around 580nm (~2.1eV). It is indicated that light emission originates from luminescence centers in Si oxide films. The experimental results have been explained reasonably.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:59772027);甘肃省教育委员会科研基金(批准号:981-17)和西南石油学院油气藏地质及开发工程国家重点实验室(批准号:PLN2001X)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  5942
  • PDF下载量:  645
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2001-01-14
  • 修回日期:  2001-03-08
  • 刊出日期:  2001-04-05

/

返回文章
返回