| [1] |
马平, 韩一平, 张宁, 田得阳, 石安华, 宋强. 高超声速类HTV2模型全目标电磁散射特性实验研究. 物理学报,
2022, 71(8): 084101.
doi: 10.7498/aps.71.20211901
|
| [2] |
刘佳文, 姚若河, 刘玉荣, 耿魁伟. 一个圆柱形双栅场效应晶体管的物理模型. 物理学报,
2021, 70(15): 157302.
doi: 10.7498/aps.70.20202156
|
| [3] |
刘昶时. 一个可靠和准确的光电产额谱模型及应用. 物理学报,
2021, 70(10): 103301.
doi: 10.7498/aps.70.20201729
|
| [4] |
刘乃漳, 姚若河, 耿魁伟. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极电容模型. 物理学报,
2021, 70(21): 217301.
doi: 10.7498/aps.70.20210700
|
| [5] |
谢天赐, 张彬, 贺泊, 李昊鹏, 秦壮, 钱金钱, 石锲铭, LewisElfed, 孙伟民. 放疗绝对剂量的数学算法模型. 物理学报,
2021, 70(1): 018701.
doi: 10.7498/aps.70.20200986
|
| [6] |
刘乃漳, 张雪冰, 姚若河. AlGaN/GaN高电子迁移率器件外部边缘电容的物理模型. 物理学报,
2020, 69(7): 077302.
doi: 10.7498/aps.69.20191931
|
| [7] |
宋建军, 包文涛, 张静, 唐昭焕, 谭开洲, 崔伟, 胡辉勇, 张鹤鸣. (100)Si基应变p型金属氧化物半导体[110]晶向电导率有效质量双椭球模型. 物理学报,
2016, 65(1): 018501.
doi: 10.7498/aps.65.018501
|
| [8] |
马骥刚, 马晓华, 张会龙, 曹梦逸, 张凯, 李文雯, 郭星, 廖雪阳, 陈伟伟, 郝跃. AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型. 物理学报,
2012, 61(4): 047301.
doi: 10.7498/aps.61.047301
|
| [9] |
李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭. 应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型. 物理学报,
2011, 60(1): 017202.
doi: 10.7498/aps.60.017202
|
| [10] |
姜志宏, 王晖, 高超. 一种基于随机行走和策略连接的网络演化模型. 物理学报,
2011, 60(5): 058903.
doi: 10.7498/aps.60.058903
|
| [11] |
吴华英, 张鹤鸣, 宋建军, 胡辉勇. 单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型. 物理学报,
2011, 60(9): 097302.
doi: 10.7498/aps.60.097302
|
| [12] |
王永久, 李爱根, 龚添喜, 陈菊华. 一类无奇点宇宙模型. 物理学报,
2010, 59(2): 712-715.
doi: 10.7498/aps.59.712
|
| [13] |
李 琦, 张 波, 李肇基. 漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型. 物理学报,
2008, 57(3): 1891-1896.
doi: 10.7498/aps.57.1891
|
| [14] |
赖小明, 卞保民, 杨 玲, 杨 娟, 卞 牛, 李振华, 贺安之. 非奇异宇宙的理想气体自相似模型. 物理学报,
2008, 57(12): 7955-7962.
doi: 10.7498/aps.57.7955
|
| [15] |
张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜. 应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究. 物理学报,
2007, 56(6): 3504-3508.
doi: 10.7498/aps.56.3504
|
| [16] |
郝 跃, 韩新伟, 张进城, 张金凤. AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型. 物理学报,
2006, 55(7): 3622-3628.
doi: 10.7498/aps.55.3622
|
| [17] |
沈自才, 邵建达, 王英剑, 范正修. 磁控反应溅射法制备渐变折射率薄膜的模型分析. 物理学报,
2005, 54(10): 4842-4845.
doi: 10.7498/aps.54.4842
|
| [18] |
沈自才, 王英剑, 范正修, 邵建达. 双源共蒸法制备非均匀膜的模型分析. 物理学报,
2005, 54(1): 295-301.
doi: 10.7498/aps.54.295
|
| [19] |
马仲发, 庄奕琪, 杜 磊, 包军林, 李伟华. 栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型. 物理学报,
2003, 52(8): 2046-2051.
doi: 10.7498/aps.52.2046
|
| [20] |
刘红侠, 方建平, 郝跃. 薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究. 物理学报,
2001, 50(6): 1172-1177.
doi: 10.7498/aps.50.1172
|
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