搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

胡颖

引用本文:
Citation:

微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

胡颖

SiC NANOWIRES GROWN ON SILICON(100) WAFER BY MPCVD METHOD

HU YING
PDF
导出引用
  • 应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱(EDS)和选区电子衍射(SAD)等方法对纳米线化学组成和结构进行了分析和表征.给出该纳米线的生长机理
    Silicon carbide nanowires have been grown on single crystal silicon wafers by using microwave plasma chemical vapor deposition method. The nanowires are analyzed by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, energy dispersive spectroscopy and low-energy electron diffraction methods. The growth mechanism of nanowires is proposed.
    • 基金项目: 北京市自然科学基金(批准号:2982011)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  4251
  • PDF下载量:  821
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-20
  • 修回日期:  2001-07-05
  • 刊出日期:  2001-06-05

微波等离子体化学气相沉积方法在Si衬底上生长SiC纳米线

  • 1. 首都师范大学物理系,北京100037
    基金项目: 北京市自然科学基金(批准号:2982011)资助的课题.

摘要: 应用微波等离子体化学气相沉积方法,在单晶Si(100)衬底上生长出SiC纳米线.应用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、能量损失谱(EDS)和选区电子衍射(SAD)等方法对纳米线化学组成和结构进行了分析和表征.给出该纳米线的生长机理

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回