微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化

张世斌; 孔光临; 徐艳月; 王永谦; 刁宏伟; 廖显伯

doi:10.7498/aps.51.111

摘要

利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响.发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用,估算了陷阱能级的位置.曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降,而且还有所上升,薄膜的光敏性有所改善.很可能曝光过程引起了硼受主的退激活,导致费米能级向导带边移动,使有效的复合中心减少,样品的光电导上升.

关键词:

非晶硅 /
瞬态 /
光电导 /
光致变化

Abstract

ＴｒａｎｓｉｅｎｔｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙａｎｄｉｔｓｌｉｇｈｔｉｎｄｕｃｅｄｃｈａｎｇｅｗｅｒｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｂｙｕｓｉｎｇａＭｏｄｅｌ440 0ｂｏｘｃａｒａｖｅｒａｇｅｒａｎｄｓｉｇｎａｌｐｒｏｃｅｓｓｏｒｆｏｒｌｉｇｈｔｌｙｂｏｒｏｎｄｏｐｅｄａＳｉ∶Ｈｆｉｌｍｓ.Ｔｈｅｔｒａｎｓｉｅｎｔｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｉｅｓｏｆｔｈｅｓａｍｐｌｅｗｅｒｅｍｅａｓｕｒｅｄａｔａｎａｎｎｅａｌｅｄｓｔａｔｅａｎｄｌｉｇｈｔｓｏａｋｅｄｓｔａｔｅｓ.Ｔｈｅｔｒａｎｓｉｅｎｔｄｅｃａｙｐｒｏｃｅｓｓｏｆｔｈｅｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｃａｎｂｅｆｉｔｔｅｄｆａｉｒｌｙｗｅｌｌｂｙａｓｅｃｏｎｄｏｒｄｅｒｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌｄｅｃａｙｆｕｎｃｔｉｏｎ ,ｗｈｉｃｈｉｎｄｉｃａｔｅｓｔｈａｔｔｈｅｄｅｃａｙｐｒｏｃｅｓｓｉｓｒｅｌａｔｅｄｗｉｔｈｔｗｏｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｒａｐｓ.Ｉｔｉｓｎｏｔｅｗｏｒｔｈｙｔｈａｔｔｈｅｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｏｆｔｈｅｆｉｌｍｉｎｃｒｅａｓｅｓａｆｔｅｒｌｉｇｈｔｓｏａｋｉｎｇ.ＴｈｉｓｍａｙｂｅｄｕｅｔｏｔｈｅｄｅａｃｔｉｖｉｔｙｏｆｔｈｅｂｏｒｏｎａｃｃｅｐｔｏｒＢ-4,ａｎｄｔｈｕｓｓｏｍｅｏｆｔｈｅｂｏｒｏｎａｔｏｍｓｃａｎｎｏｌｏｎｇｅｒａｃｔａｓａｃｃｅｐｔｏｒｓａｎｄｄｒｉｖｅｓＥＦｔｏｓｈｉｆｔｓｕｐｗａｒｄ .Ｃｏｎｓｅｑｕｅｎｔｌｙ,ｔｈｅｎｕｍｂｅｒｏｆｅｆｆｅｃｔｉｖｅｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｃｅｎｔｅｒｓｍａｙｂｅｒｅｄｕｃｅｄａｎｄｓｏｔｈｅｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙｉｎｃｒｅａｓｅｓ.

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