| [1] |
梁琦, 杨孟骐, 张京阳, 王如志. PECVD法制备高结晶GaN薄膜及其光电响应性能. 物理学报,
2022, 71(9): 097302.
doi: 10.7498/aps.71.20211922
|
| [2] |
唐道胜, 华钰超, 周艳光, 曹炳阳. GaN薄膜的热导率模型研究. 物理学报,
2021, 70(4): 045101.
doi: 10.7498/aps.70.20201611
|
| [3] |
江风益, 刘军林, 张建立, 徐龙权, 丁杰, 王光绪, 全知觉, 吴小明, 赵鹏, 刘苾雨, 李丹, 王小兰, 郑畅达, 潘拴, 方芳, 莫春兰. 半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备. 物理学报,
2019, 68(16): 168503.
doi: 10.7498/aps.68.20191044
|
| [4] |
王保柱, 张秀清, 张奥迪, 周晓然, Bahadir Kucukgok, Na Lu, 肖红领, 王晓亮, Ian T. Ferguson. 金属有机物化学气相沉积生长GaN薄膜的室温热电特性研究. 物理学报,
2015, 64(4): 047202.
doi: 10.7498/aps.64.047202
|
| [5] |
陈程程, 刘立英, 王如志, 宋雪梅, 王波, 严辉. 不同基底的GaN纳米薄膜制备及其场发射增强研究. 物理学报,
2013, 62(17): 177701.
doi: 10.7498/aps.62.177701
|
| [6] |
李天微, 刘丰珍, 朱美芳. 射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究. 物理学报,
2011, 60(1): 018103.
doi: 10.7498/aps.60.018103
|
| [7] |
黎兵, 刘才, 冯良桓, 张静全, 郑家贵, 蔡亚平, 蔡伟, 武莉莉, 李卫, 雷智, 曾广根, 夏庚培. CdS/CdTe薄膜太阳电池的深能级瞬态谱和光致发光研究. 物理学报,
2009, 58(3): 1987-1991.
doi: 10.7498/aps.58.1987
|
| [8] |
韩晓艳, 耿新华, 侯国付, 张晓丹, 李贵君, 袁育杰, 魏长春, 孙建, 张德坤, 赵颖. 高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究. 物理学报,
2009, 58(2): 1344-1347.
doi: 10.7498/aps.58.1344
|
| [9] |
潘孝军, 张振兴, 王 涛, 李 晖, 谢二庆. 溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性. 物理学报,
2008, 57(6): 3786-3790.
doi: 10.7498/aps.57.3786
|
| [10] |
李洪涛, 罗 毅, 席光义, 汪 莱, 江 洋, 赵 维, 韩彦军, 郝智彪, 孙长征. 基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量. 物理学报,
2008, 57(11): 7119-7125.
doi: 10.7498/aps.57.7119
|
| [11] |
苑进社, 陈光德. 蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4218-4223.
doi: 10.7498/aps.56.4218
|
| [12] |
张小东, 林德旭, 李公平, 尤 伟, 张利民, 张 宇, 刘正民. 离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究. 物理学报,
2006, 55(10): 5487-5493.
doi: 10.7498/aps.55.5487
|
| [13] |
彭冬生, 冯玉春, 王文欣, 刘晓峰, 施 炜, 牛憨笨. 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法. 物理学报,
2006, 55(7): 3606-3610.
doi: 10.7498/aps.55.3606
|
| [14] |
徐波, 余庆选, 吴气虹, 廖源, 王冠中, 方容川. 应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究. 物理学报,
2004, 53(1): 204-209.
doi: 10.7498/aps.53.204
|
| [15] |
张进城, 郝跃, 李培咸, 范隆, 冯倩. 基于透射谱的GaN薄膜厚度测量. 物理学报,
2004, 53(4): 1243-1246.
doi: 10.7498/aps.53.1243
|
| [16] |
宋淑芳, 周生强, 陈维德, 朱建军, 陈长勇, 许振嘉. 掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究. 物理学报,
2003, 52(10): 2558-2562.
doi: 10.7498/aps.52.2558
|
| [17] |
赖天树, 范海华, 柳振东, 林位株. GaN的宽带黄光发射研究. 物理学报,
2003, 52(10): 2638-2641.
doi: 10.7498/aps.52.2638
|
| [18] |
苑进社, 陈光德, 齐鸣, 李爱珍, 徐卓. 分子束外延GaN薄膜的X射线光电子能谱和俄歇电子能谱研究. 物理学报,
2001, 50(12): 2429-2433.
doi: 10.7498/aps.50.2429
|
| [19] |
张昊翔, 卢焕明, 叶志镇, 赵炳辉, 汪 雷, 阙端麟. Si基GaN外延层光致发光光谱与二次离子质谱的研究. 物理学报,
1999, 48(7): 1315-1319.
doi: 10.7498/aps.48.1315
|
| [20] |
王绍青, 刘全补, 叶恒强. 分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构. 物理学报,
1998, 47(11): 1858-1861.
doi: 10.7498/aps.47.1858
|
下载:
