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非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

张世斌 廖显伯 安龙 杨富华 孔光临 王永谦 徐艳月 陈长勇 刁宏伟

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非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

张世斌, 廖显伯, 安龙, 杨富华, 孔光临, 王永谦, 徐艳月, 陈长勇, 刁宏伟

Zhang Shi-Bin, Liao Xian-Bo, An Long, Yang Fu-Hua, Kong Guang-Lin, Wang Yong-Qian, Xu Yan-Yue, Chen Chang-Yong, Diao Hong-Wei
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-11-26
  • 修回日期:  2002-01-07
  • 刊出日期:  2002-04-05

非晶微晶过渡区域硅薄膜的微区喇曼散射研究

  • 1. (1)中国科学院半导体所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083; (2)中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京100083
    基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)资助的课题~~

摘要: 通过改变氢气对硅烷气体的稀释程度,并保持其他的沉积参量不变,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功地制备出处于非晶微晶相变过渡区域的硅薄膜样品.测量了样品的室温光电导和暗电导,样品的光电性能优越,在50mW·cm-2的白光照射下,光电导和暗电导的比值达到106.在室温下用微区喇曼谱研究了薄膜的微结构特性,用高斯函数对喇曼谱进行了拟合分析.结果表明,在我们的样品制备条件下,当H2和SiH4的流量比R较小时,样品表现出典型的非晶硅薄膜的结构特性;随流量比R的增大,薄膜表现出两相结构,其中的微晶成分随

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