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直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

马平 刘乐园 张升原 王昕 谢飞翔 邓鹏 聂瑞娟 王守证 戴远东 王福仁

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直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

马平, 刘乐园, 张升原, 王昕, 谢飞翔, 邓鹏, 聂瑞娟, 王守证, 戴远东, 王福仁

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出版历程
  • 收稿日期:  2001-07-20
  • 修回日期:  2001-08-09
  • 刊出日期:  2002-01-05

直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

  • 1. 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系,北京100871
    基金项目: 国家高技术研究发展计划 (批准号 :86 3 CD0 5 0 10 1);国家重点基础研究 ( 973)专项经费 (批准号 :G19990 6 46 0 9;G19990 6 46 0 7)资助的课题

摘要: 用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K.

English Abstract

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