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离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

陈贵宾 陆卫 缪中林 李志锋 蔡炜颖 沈学础 陈昌明 朱德彰 胡钧 李明乾

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离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

陈贵宾, 陆卫, 缪中林, 李志锋, 蔡炜颖, 沈学础, 陈昌明, 朱德彰, 胡钧, 李明乾

Chen Gui-Bin, Lu Wei, Liao Zhong-Lin, Li Zhi-Feng, Chai Wei-Ying, Shen Xue-Chu, Chen Chang-Ming, Zhu De-Zhang, Hu Jun, Li Ming-Qian
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-08-17
  • 刊出日期:  2005-04-03

离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究

  • 1. (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800; (3)中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800
    基金项目: 国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 6 8);;国家重点基础研究项目 (批准号 :G19980 6 14 0 4)资助的课题~~

摘要: 采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的GaAsAlGaAs非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应.荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明,Al原子在异质结界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心.

English Abstract

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