CaCu3Ti4O12块材和薄膜的巨介电常数

赵彦立; 焦正宽; 曹光旱

doi:10.7498/aps.52.1500

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CaCu3Ti4O12块材和薄膜的巨介电常数

赵彦立 , 焦正宽 , 曹光旱

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CaCu3Ti4O12块材和薄膜的巨介电常数

赵彦立, 焦正宽, 曹光旱

物理学报, 2003, 52(6): 1500-1504.

doi: 10.7498/aps.52.1500

High dielectric constant in CaCu3Ti4O12 bulk an d thin films

Zhao Yan-Li, Jiao Zheng-Kuan, Gao Guang-Han

Acta Phys. Sin., 2003, 52(6): 1500-1504.

doi: 10.7498/aps.52.1500

摘要
用固相反应法和脉冲激光沉积(PLD)制备了CaCu3Ti4O12块材和薄膜，获得了相对介电常数ε′（1kHz,300K)高于14000的介电特性，是目前该体系最好的结果.报道了(00l)取向高质量CaCu3Ti4O12外延薄膜及其介电性质.C aCu3Ti4O12相对介电常数ε′在100—300K温度范围内

关键词:
CaCu3Ti4O12 /

巨介电常数 /

PLD
Abstract
CaCu3Ti4O12 bulk and thin films are prepared su ccessfully by solid-state reaction and pulsed laser deposition (PLD). Dielectric constants ε′ (1kHz,300K) higher than 14000 are found in both types of CaCu3Ti4O12 materials, which is the best result in this system. We first report the c-axis-oriented epitaxial CaCu3Ti4O12 thin film and i ts dieletric properties.Such a high dielectric constant does not depend much upon temperature in the range of 100-300K,showing that this material has high thermal stability.The behaviour of dielectric conductivity σd against frequency can be well ex plained in terms of the hopping mechanism.

Keywords:
CaCu3Ti4O12 /

high dielectric constant /

PLD
作者及机构信息
赵彦立¹,

焦正宽²,

曹光旱¹

(1)浙江大学物理系，杭州 310027; (2)浙江大学物理系，杭州 310027;台州学院物理系，临海 317000

基金项目: 国家重点基础研究专项经费和国家自然科学基金(批准号：10274070)资助的课题.
Authors and contacts
Zhao Yan-Li¹,

Jiao Zheng-Kuan²,

Gao Guang-Han¹

(1)浙江大学物理系，杭州 310027; (2)浙江大学物理系，杭州 310027;台州学院物理系，临海 317000
参考文献

施引文献

[1]	赵学童, 廖瑞金, 李建英, 王飞鹏. 直流老化对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响. 物理学报, 2015, 64(12): 127701. doi: 10.7498/aps.64.127701
[2]	谢玲玲, 陈水源, 刘凤金, 张建敏, 林应斌, 黄志高. Zn0.97Cr0.03O的PLD制备及其铁磁性. 物理学报, 2014, 63(7): 077102. doi: 10.7498/aps.63.077102
[3]	李盛涛, 王辉, 林春江, 李建英. CaCu3Ti4O12 陶瓷介电模量响应特性的研究. 物理学报, 2013, 62(8): 087701. doi: 10.7498/aps.62.087701
[4]	成鹏飞, 王辉, 李盛涛. CaCu3Ti4O12陶瓷的介电特性与弛豫机理. 物理学报, 2013, 62(5): 057701. doi: 10.7498/aps.62.057701
[5]	贾然, 顾访, 吴珍华, 赵学童, 李建英. 简化共沉淀法制备CaCu3Ti4O12陶瓷及其介电性能研究. 物理学报, 2012, 61(20): 207701. doi: 10.7498/aps.61.207701
[6]	杨昌平, 李旻奕, 宋学平, 肖海波, 徐玲芳. 氧含量对CaCu3Ti4O12巨介电常数和介电过程的影响 . 物理学报, 2012, 61(19): 197702. doi: 10.7498/aps.61.197702
[7]	曹蕾, 刘鹏, 周剑平, 王亚娟, 苏丽娜, 刘成. CaCu3Ti4O12-MgTiO3陶瓷的介电性能与I-V非线性特征. 物理学报, 2011, 60(3): 037701. doi: 10.7498/aps.60.037701
[8]	储海峰, 李洁, 李绍, 黎松林, 王佳, 高艳丽, 邓辉, 王宁, 张玉, 吴玉林, 郑东宁. Sr2CoO4-δ薄膜中的自旋玻璃态的磁性质研究. 物理学报, 2010, 59(9): 6585-6592. doi: 10.7498/aps.59.6585
[9]	王锋, 吴卫东, 唐永建. AlFe单晶薄膜微结构与热力学性质研究. 物理学报, 2010, 59(5): 3589-3594. doi: 10.7498/aps.59.3589
[10]	罗晓婧, 杨昌平, 宋学平, 徐玲芳. 巨介电常数氧化物CaCu3Ti4O12的介电和阻抗特性. 物理学报, 2010, 59(5): 3516-3522. doi: 10.7498/aps.59.3516
[11]	杨雁, 李盛涛. CaCu3Ti4O12陶瓷的微观结构及直流导电特性. 物理学报, 2009, 58(9): 6376-6380. doi: 10.7498/aps.58.6376
[12]	周健华, 周圣明, 黄涛华, 林辉, 李抒智, 邹军, 王军, 韩平, 张荣. γ-LiAlO2上a面ZnO薄膜的光谱特性研究. 物理学报, 2008, 57(1): 430-433. doi: 10.7498/aps.57.430
[13]	慕春红, 刘鹏, 贺颖, 张丹, 孟玲, 边小兵. Fe掺杂CaCu3Ti4O12陶瓷的介电性能与弛豫特性研究. 物理学报, 2008, 57(4): 2432-2437. doi: 10.7498/aps.57.2432
[14]	吴小丽, 陈长乐, 韩立安, 罗炳成, 高国棉, 朱建华. 衬底温度对PLD法生长的Mg0.05Zn0.95O薄膜结构和发光特性的影响. 物理学报, 2008, 57(6): 3735-3739. doi: 10.7498/aps.57.3735
[15]	周健华, 周圣明, 黄涛华, 林辉, 李抒智, 邹军, 王军, 张荣. γ-LiAlO2上非极性ZnO薄膜制备及其光谱性质研究. 物理学报, 2007, 56(7): 4044-4048. doi: 10.7498/aps.56.4044
[16]	刘鹏, 贺颖, 李俊, 朱刚强, 边小兵. 添加Nb对CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响. 物理学报, 2007, 56(9): 5489-5493. doi: 10.7498/aps.56.5489
[17]	赵跃智, 陈长乐, 高国棉, 杨晓光, 袁孝, 宋宙模. Mn掺杂ZnO薄膜的结构及光学性能研究. 物理学报, 2006, 55(6): 3132-3135. doi: 10.7498/aps.55.3132
[18]	邵守福, 郑鹏, 张家良, 钮效鵾, 王春雷, 钟维烈. CaCu3Ti4O12陶瓷的微观结构和电学性能. 物理学报, 2006, 55(12): 6661-6666. doi: 10.7498/aps.55.6661
[19]	周小莉, 杜丕一. 磁控溅射法制备的CaCu3Ti4O12薄膜. 物理学报, 2005, 54(4): 1809-1813. doi: 10.7498/aps.54.1809
[20]	茶丽梅, 张鹏翔, H.U.Habermeier. 双层锰氧化物薄膜的制备及其物理性质. 物理学报, 2003, 52(2): 498-502. doi: 10.7498/aps.52.498

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物理学报. 2003, 52(6): 1500-1504.

doi: 10.7498/aps.52.1500.

CaCu3Ti4O12块材和薄膜的巨介电常数

1. (1)浙江大学物理系，杭州 310027; (2)浙江大学物理系，杭州 310027;台州学院物理系，临海 317000

基金项目: 国家重点基础研究专项经费和国家自然科学基金(批准号：10274070)资助的课题.

收稿日期: 2002-07-12
修回日期: 2002-10-31
刊出日期: 2003-03-05

摘要: 用固相反应法和脉冲激光沉积(PLD)制备了CaCu3Ti4O12块材和薄膜，获得了相对介电常数ε′（1kHz,300K)高于14000的介电特性，是目前该体系最好的结果.报道了(00l)取向高质量CaCu3Ti4O12外延薄膜及其介电性质.C aCu3Ti4O12相对介电常数ε′在100—300K温度范围内

关键词:

CaCu3Ti4O12 /
巨介电常数 /
PLD

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