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界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响

汤晓燕 张义门 张玉明 郜锦侠

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界面态电荷对n沟6H-SiC MOSFET场效应迁移率的影响

汤晓燕, 张义门, 张玉明, 郜锦侠

Study of the effect of interface state charges on field-effect mobility of n-channel 6H-SiC MOSFET

Tang Xiao-Yan, Zhang Yi-Men, Zhang Yu-Ming, Gao Jin-Xia
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-12-07
  • 修回日期:  2002-06-03
  • 刊出日期:  2003-02-05

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