硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

邹  璐; 汪  雷; 黄靖云; 赵炳辉; 叶志镇

doi:10.7498/aps.52.935

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

邹璐 , 汪雷 , 黄靖云 , 赵炳辉 , 叶志镇

引用本文:

Citation:

凝聚物质：结构、热学和力学性质

硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

邹璐, 汪雷, 黄靖云, 赵炳辉, 叶志镇

物理学报, 2003, 52(4): 935-938.

doi: 10.7498/aps.52.935

Structural and photoluminesenct properties of Zn1-xMgxO thin film on silicon

Zou Lu, Wang Lei, Huang Jing-Yun, Zhao Bing-Hui, Ye Zhi-Zhen

Acta Phys. Sin., 2003, 52(4): 935-938.

doi: 10.7498/aps.52.935

摘要
采用脉冲激光法（PLD）在Si衬底上沉积Zn1-xMgxO薄膜.x射线衍射(XRD)表明薄膜为c轴取向，（002）峰的半高宽仅为0.211°，且没有MgO的相偏析.透射电子显微镜可以清楚看到Zn1-xMgxO薄膜的c轴择优取向.在选区电子衍射图中可以看到Zn1-xMgxO结晶薄膜整齐的衍射斑点.室温下对Zn1-xMgxO薄膜进行了光致荧光光谱分析，发现其带边发射峰相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移，带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达159.Zn1-xMgxO结晶薄膜质量良好，显示了应用于光电器件的潜力.

关键词:
Zn1-xMgxO合金薄膜 /

硅衬底 /

脉冲激光沉积法 /

c轴取向 /

光致荧光光谱
Abstract
High-quality Zn1-xMgxO thin film was grown on Si substrate by pulsed laser deposition (PLD). x-ray diffraction patterns indicated that the film was c-axis oriented, the full width at half maximum of (002) peak was only 0.211°, and no phase separation was observed. Transmission electron microscopy(TEM) verified the c-axis orientation of the Zn1-xMgxO thin film. Regular diffraction spots can be observed by TEM. Photoluminescence spectrum was measured at room temperature. The near-band-energy emission peak of the Zn1-xMgxO thin film has a blue shift of 0.4 eV from that of ZnO, and the ratio of near-band-energy to the defect-level peak intensity was as large as 159. These results indicate that Zn1-xMgxO thin film can have potential applications in optoelectronic devices.

Keywords:
Zn1-xMgxO alloy /

Si-substrate /

pusled laser deposition /

c-oritation /

PL spectra
作者及机构信息
邹璐,

汪雷,

黄靖云,

赵炳辉,

叶志镇

1.
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目(批准号：G2000068306)资助的课题
Authors and contacts
Zou Lu,

Wang Lei,

Huang Jing-Yun,

Zhao Bing-Hui,

Ye Zhi-Zhen

1.
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027
参考文献

施引文献

[1]	刘战辉, 张李骊, 李庆芳, 张荣, 修向前, 谢自力, 单云. Si(110)和Si(111)衬底上制备InGaN/GaN蓝光发光二极管. 物理学报, 2014, 63(20): 207304. doi: 10.7498/aps.63.207304
[2]	薛将, 潘风明, 裴煜. 钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究. 物理学报, 2013, 62(15): 158103. doi: 10.7498/aps.62.158103
[3]	韩军, 张鹏, 巩海波, 杨晓朋, 邱智文, 自敏, 曹丙强. 生长条件对脉冲激光沉积制备ZnO：Al薄膜光电性能的影响. 物理学报, 2013, 62(21): 216102. doi: 10.7498/aps.62.216102
[4]	吴晨阳, 谷锦华, 冯亚阳, 薛源, 卢景霄. 椭圆偏振光谱表征单晶硅衬底上生长的非晶硅和外延硅薄膜. 物理学报, 2012, 61(15): 157803. doi: 10.7498/aps.61.157803
[5]	傅广生, 丁学成, 郭瑞强, 翟小林, 褚立志, 邓泽超, 梁伟华, 王英龙. 脉冲激光沉积纳米硅晶粒流体模型的推广. 物理学报, 2011, 60(1): 018102. doi: 10.7498/aps.60.018102
[6]	李世帅, 冯秀鹏, 黄金昭, 刘春彦, 张仲, 陶冶微. Zn1-x-yNaxCoyO薄膜的脉冲激光沉积制备及表征. 物理学报, 2011, 60(5): 057105. doi: 10.7498/aps.60.057105
[7]	封飞飞, 刘军林, 邱冲, 王光绪, 江风益. 硅衬底GaN基LED N极性n型欧姆接触研究. 物理学报, 2010, 59(8): 5706-5709. doi: 10.7498/aps.59.5706
[8]	方庆清, 王伟娜, 周军, 王胜男, 闫方亮, 刘艳美, 李雁, 吕庆荣. Zn1-xMgxO薄膜的光致发光特性研究. 物理学报, 2009, 58(8): 5836-5841. doi: 10.7498/aps.58.5836
[9]	黄丹, 邵元智, 陈弟虎, 郭进, 黎光旭. 纤锌矿结构Zn1-xMgxO电子结构及吸收光谱的第一性原理研究. 物理学报, 2008, 57(2): 1078-1083. doi: 10.7498/aps.57.1078
[10]	熊传兵, 江风益, 方文卿, 王立, 莫春兰. 硅衬底GaN蓝色发光材料转移前后应力变化研究. 物理学报, 2008, 57(5): 3176-3181. doi: 10.7498/aps.57.3176
[11]	王淑华, 查超麟, 高静, 马斌, 张宗芝, 金庆原. c轴垂直取向FePt薄膜的磁和磁光性能研究. 物理学报, 2007, 56(3): 1719-1724. doi: 10.7498/aps.56.1719
[12]	谷建峰, 付伟佳, 刘明, 刘志文, 马春雨, 张庆瑜. 电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析. 物理学报, 2007, 56(10): 5979-5985. doi: 10.7498/aps.56.5979
[13]	延凤平, 郑凯, 王琳, 李一凡, 龚桃荣, 简水生, 尾形健一, 小池一步, 佐佐诚彦, 井上正崇, 矢野满明. 分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1－xMgxO薄膜折射率及厚度的测试. 物理学报, 2007, 56(7): 4127-4131. doi: 10.7498/aps.56.4127
[14]	王笑, 潘安练, 刘丹, 白永强, 张朝晖, 邹炳锁, 朱星. 近场光学显微镜研究CdS0.65Se0.35纳米带空间分辨光致荧光谱. 物理学报, 2007, 56(11): 6352-6357. doi: 10.7498/aps.56.6352
[15]	谭娜, 段淑卿, 张庆瑜. 退火温度对Er/Yb共掺Al2O3薄膜的光致荧光光谱的影响. 物理学报, 2005, 54(9): 4433-4438. doi: 10.7498/aps.54.4433
[16]	刘震, 王淑芳, 赵嵩卿, 周岳亮. 利用脉冲激光沉积技术在双轴织构的Ni基带上外延CeO2薄膜. 物理学报, 2005, 54(12): 5820-5823. doi: 10.7498/aps.54.5820
[17]	徐大印, 刘彦平, 何志巍, 方泽波, 刘雪芹, 王印月. 多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为. 物理学报, 2004, 53(8): 2694-2698. doi: 10.7498/aps.53.2694
[18]	朱丹丹, 章晓中, 薛庆忠. 用脉冲激光方法在Si(100)上沉积的Cox-C1-x颗粒膜及其磁电阻效应. 物理学报, 2003, 52(12): 3181-3185. doi: 10.7498/aps.52.3181
[19]	李智华, 张端明, 陈中军, 黄明涛, 关丽, 钟志成, 李国栋. KTN薄膜脉冲激光沉积过程的机理研究. 物理学报, 2001, 50(10): 1950-1955. doi: 10.7498/aps.50.1950
[20]	程文芹, 蔡丽红, 谢小刚, 王文新, 胡强, 周钧铭. AlyGa1-yAs/AlxGa1-xAs量子阱激光器材料的光致荧光谱. 物理学报, 1996, 45(2): 304-306. doi: 10.7498/aps.45.304

计量

文章访问数: 5102
PDF下载量: 722
被引次数: 0

物理学报. 2003, 52(4): 935-938.

doi: 10.7498/aps.52.935.

硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

1. 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

基金项目: 国家重点基础研究发展规划项目(批准号：G2000068306)资助的课题

收稿日期: 2002-05-23
修回日期: 2002-09-29
刊出日期: 2003-02-05

摘要: 采用脉冲激光法（PLD）在Si衬底上沉积Zn1-xMgxO薄膜.x射线衍射(XRD)表明薄膜为c轴取向，（002）峰的半高宽仅为0.211°，且没有MgO的相偏析.透射电子显微镜可以清楚看到Zn1-xMgxO薄膜的c轴择优取向.在选区电子衍射图中可以看到Zn1-xMgxO结晶薄膜整齐的衍射斑点.室温下对Zn1-xMgxO薄膜进行了光致荧光光谱分析，发现其带边发射峰相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移，带边发射峰与杂质发射峰的强度之比高达159.Zn1-xMgxO结晶薄膜质量良好，显示了应用于光电器件的潜力.

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

Structural and photoluminesenct properties of Zn1-xMgxO thin film on silicon

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

Authors and contacts

1.
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

参考文献

施引文献

目录

计量

硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

English Abstract

Structural and photoluminesenct properties of Zn1-xMgxO thin film on silicon

1.
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

Structural and photoluminesenct properties of Zn1-xMgxO thin film on silicon

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

Authors and contacts

1. 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

硅衬底上Zn1-xMgxO薄膜的结构与光学性质

English Abstract

Structural and photoluminesenct properties of Zn1-xMgxO thin film on silicon

1. 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

1.
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027

1.
浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027