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Ga6N6团簇结构性质的理论计算研究

郝静安 郑浩平

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Ga6N6团簇结构性质的理论计算研究

郝静安, 郑浩平

Theoretical calculation of structures and properties of Ga6N6 cluster

Hao Jing-An, Zheng Hao-Ping
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-06-13
  • 修回日期:  2003-07-16
  • 刊出日期:  2004-02-05

Ga6N6团簇结构性质的理论计算研究

  • 1. 同济大学玻耳固体物理研究所,上海 200092
    基金项目: 上海市科学技术发展基金(批准号: 00JC14051)资助的课题.

摘要: 在密度泛函理论的基础上,对Ga6N6团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算,得到了10种可能的三维空间结构及其电子结构.其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为9.748 eV,因此是可能存在的.但与他人计算的Ga3N3和Ga5N5相比,Ga6N6团簇可能不属于“幻数”团簇.最稳定结构的Ga6N6

English Abstract

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