稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

贾　瑜; 杨仕娥; 马丙现; 李新建; 胡　行

doi:10.7498/aps.53.3515

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

贾　瑜 , 杨仕娥 , 马丙现 , 李新建 , 胡　行

引用本文:

Citation:

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

贾　瑜, 杨仕娥, 马丙现, 李新建, 胡　行

物理学报, 2004, 53(10): 3515-3520.

doi: 10.7498/aps.53.3515

Electronic structure of the stable GaAs(2 5 1 1) surface

Jia Yu, Yang Shi-E, Ma Bing-Xian, Li Xin-Jian, Hu Xing

Acta Phys. Sin., 2004, 53(10): 3515-3520.

doi: 10.7498/aps.53.3515

摘要
采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11)(1×1)表面的电子结构特性进行了计算. 结果表明：对于理想的GaAs(2 5 11)表面，基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域，即 -0.1—0.1eV，085—10eV和1.4—1.6eV之间；吸附两个As原子形成(1×1)再构后，表面态的变化主要表现在0.85—1.0eV之间的表面态完全消失.结合电子数目规则，可以确定处在 - 0.1—0.1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的AsAs二聚体键的表面态，而处在1.4—

关键词:
高密勒指数表面 /

电子结构 /

电子数目规则
Abstract
We have studied the optical properties of the interface of Al and GaAs surface q uant um well by insitu photoreflectance (PR) spectroscopy in a molecular beam e pitax y (MBE) system. The intermixing of Al and GaAs surface quantum wells forms an AlxGa1-xAs barrier layer on GaAs, which would shift the inte r_band transition peaks of the GaAs quantum well. Based on the calculation using effective mass approximate method, we fi nd that the intermixing length is 0.5nm, which is an important parameter in sem iconductor technology.

Keywords:
high miller index surface /

electronic structure /

the electron counting rule
作者及机构信息
贾　瑜,

杨仕娥,

马丙现,

李新建,

胡　行

1.
郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

基金项目: 河南省自然科学基金（批准号：0111050400）资助的课题.
Authors and contacts
Jia Yu,

Yang Shi-E,

Ma Bing-Xian,

Li Xin-Jian,

Hu Xing

1.
郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052
参考文献

施引文献

[1]	贺艳斌, 贾建峰, 武海顺. N2H4在NiFe(111)合金表面吸附稳定性和电子结构的第一性原理研究. 物理学报, 2015, 64(20): 203101. doi: 10.7498/aps.64.203101
[2]	高潭华. 表面氢化双层硅烯的结构和电子性质. 物理学报, 2015, 64(7): 076801. doi: 10.7498/aps.64.076801
[3]	高潭华, 吴顺情, 张鹏, 朱梓忠. 表面氢化的双层氮化硼的结构和电子性质. 物理学报, 2014, 63(1): 016801. doi: 10.7498/aps.63.016801
[4]	吴江滨, 张昕, 谭平恒, 冯志红, 李佳. 旋转双层石墨烯的电子结构. 物理学报, 2013, 62(15): 157302. doi: 10.7498/aps.62.157302
[5]	唐春梅, 郭微, 朱卫华, 刘明熠, 张爱梅, 巩江峰, 王辉. 内掺过渡金属非典型富勒烯M@C22(M=Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni) 几何结构、电子结构、稳定性和磁性的密度泛函研究. 物理学报, 2012, 61(2): 026101. doi: 10.7498/aps.61.026101
[6]	杜玉杰, 常本康, 张俊举, 李飙, 王晓晖. GaN(0001)表面电子结构和光学性质的第一性原理研究. 物理学报, 2012, 61(6): 067101. doi: 10.7498/aps.61.067101
[7]	康朝阳, 唐军, 李利民, 潘海斌, 闫文盛, 徐彭寿, 韦世强, 陈秀芳, 徐现刚. 不同极性6H-SiC表面石墨烯的制备及其电子结构的研究. 物理学报, 2011, 60(4): 047302. doi: 10.7498/aps.60.047302
[8]	张宇飞, 郭志友, 曹东兴. ZnO(0001)表面吸附B的电子结构和光学性质研究. 物理学报, 2011, 60(6): 066802. doi: 10.7498/aps.60.066802
[9]	濮春英, 刘廷禹, 刘长捷, 白晓明, 李春萍, 佘辉. 碘化铯晶体中电子型色心的电子结构研究. 物理学报, 2010, 59(1): 453-457. doi: 10.7498/aps.59.453
[10]	霍新霞, 王畅, 张秀梅, 王利光. Au电极连接富勒烯C32分子的电子结构与传输特性. 物理学报, 2010, 59(7): 4955-4960. doi: 10.7498/aps.59.4955
[11]	武煜宇, 陈石, 高新宇, Andrew Thye Shen Wee, 徐彭寿. 6H-SiC（0001）-6[KF（]3[KF）]×6[KF（]3[KF）]R30°重构表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究. 物理学报, 2009, 58(6): 4288-4294. doi: 10.7498/aps.58.4288
[12]	刘福, 周继承, 谭晓超. 3C-SiC(001)-(2×1)表面原子与电子结构研究. 物理学报, 2009, 58(11): 7821-7825. doi: 10.7498/aps.58.7821
[13]	蒋岩玲, 付石友, 邓开明, 唐春梅, 谭伟石, 黄德财, 刘玉真, 吴海平. C60富勒烯-巴比妥酸及其二聚体几何结构和电子结构的密度泛函计算研究. 物理学报, 2008, 57(6): 3690-3697. doi: 10.7498/aps.57.3690
[14]	柏于杰, 付石友, 邓开明, 唐春梅, 陈宣, 谭伟石, 刘玉真, 黄德财. 密度泛函理论计算内掺氢分子富勒烯H2＠C60及其二聚体的几何结构和电子结构. 物理学报, 2008, 57(6): 3684-3689. doi: 10.7498/aps.57.3684
[15]	张鸿宇, 王利光, 张秀梅, 郁鼎文, 李勇. 富勒烯C20分子器件的电子结构和传导特性. 物理学报, 2008, 57(10): 6271-6276. doi: 10.7498/aps.57.6271
[16]	倪建刚, 刘诺, 杨果来, 张曦. 第一性原理研究BaTiO3(001)表面的电子结构. 物理学报, 2008, 57(7): 4434-4440. doi: 10.7498/aps.57.4434
[17]	马松山, 徐慧, 刘小良, 郭爱敏. DNA分子链电子结构特性研究. 物理学报, 2006, 55(6): 3170-3174. doi: 10.7498/aps.55.3170
[18]	王晓雄, 李宏年, 钱海杰, 苏润, 钟俊, 洪才浩, 王嘉欧. Sm富勒烯的价带光电子能谱. 物理学报, 2006, 55(8): 4265-4270. doi: 10.7498/aps.55.4265
[19]	谢长坤, 徐法强, 邓锐, 徐彭寿, 刘凤琴, K.Yibulaxin. GaN(0001)表面的电子结构研究. 物理学报, 2002, 51(11): 2606-2611. doi: 10.7498/aps.51.2606
[20]	王立民, 罗莹, 马本堃. 双量子点分子的电子结构. 物理学报, 2001, 50(2): 278-286. doi: 10.7498/aps.50.278

计量

文章访问数: 4968
PDF下载量: 569
被引次数: 0

物理学报. 2004, 53(10): 3515-3520.

doi: 10.7498/aps.53.3515.

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

1. 郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

基金项目: 河南省自然科学基金（批准号：0111050400）资助的课题.

收稿日期: 2003-10-20
修回日期: 2004-02-10
刊出日期: 2004-05-05

摘要: 采用格林函数方法对具有稳定结构的GaAs(2 5 11)(1×1)表面的电子结构特性进行了计算. 结果表明：对于理想的GaAs(2 5 11)表面，基本带隙内的表面态主要处在三个能量区域，即 -0.1—0.1eV，085—10eV和1.4—1.6eV之间；吸附两个As原子形成(1×1)再构后，表面态的变化主要表现在0.85—1.0eV之间的表面态完全消失.结合电子数目规则，可以确定处在 - 0.1—0.1eV之间的表面态为全部填满的阴离子悬挂键态或再构引起的AsAs二聚体键的表面态，而处在1.4—

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

Electronic structure of the stable GaAs(2 5 1 1) surface

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

Authors and contacts

1.
郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

参考文献

施引文献

目录

计量

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

English Abstract

Electronic structure of the stable GaAs(2 5 1 1) surface

1.
郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

Electronic structure of the stable GaAs(2 5 1 1) surface

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

Authors and contacts

1. 郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

稳定的GaAs (2 5 1 1)高密勒指数表面的电子结构

English Abstract

Electronic structure of the stable GaAs(2 5 1 1) surface

1. 郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

1.
郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052

1.
郑州大学物理工程学院，郑州大学材料物理教育部重点实验室，郑州 450052