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铁电单晶Pb (Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3的高场致应变及其在层叠式驱动器中的应用

冯祖勇 罗豪甦 殷之文 官春林 凌 宁

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铁电单晶Pb (Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3的高场致应变及其在层叠式驱动器中的应用

冯祖勇, 罗豪甦, 殷之文, 官春林, 凌 宁

High electric-field-induced strain of Pb (Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 crystals and their application in multilayer actuators

Feng Zu-Yong, Luo Hao-Su, Yin Zhi-Wen, Guan Chun-Lin, Ling Ning
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-10-27
  • 修回日期:  2003-12-02
  • 刊出日期:  2004-05-05

铁电单晶Pb (Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3的高场致应变及其在层叠式驱动器中的应用

  • 1. (1)中国科学院光电技术研究所,成都\ 610209; (2)中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海 \ 201800; (3)中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海 201800
    基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50272075)和国家高技术研究发展规划项目( 批准号:2002AA325130)资助的课题

摘要: 通过研究(1_x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3_xPbTiO3(PMNT)单晶在不同方向、不同组分下高场致应变的特性,确定了〈001〉取向 PMNT单晶(29%≤x≤31%)为制作层叠式驱动器的最佳组分范围,这组分的单晶具有高场致应变、低滞后而且性能较稳定的特点.研究结果表明,在保证应变曲线的线性和低滞后的前提下,将近-2kV/cm的负电场能够运用于〈001〉方向的PMNT晶体上. 40层(每片晶片尺寸为7mm×7mm×0.7mm)PM

English Abstract

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