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微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

徐 进 杨德仁 储 佳 马向阳 阙端麟

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微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错透射电镜研究

徐 进, 杨德仁, 储 佳, 马向阳, 阙端麟

Oxidation-induced stacking faults in nitrogen-doped czochralski silicon investigated by transmission electron microscope

Xu Jin, Yang De-Ren, Chu Jia, Ma Xiang-Yang, Que Duan-Lin
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-12-13
  • 修回日期:  2003-04-11
  • 刊出日期:  2004-01-05

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