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射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

王文静 萧淑琴 刘宜华 陈卫平 代由勇 姜 山 袁慧敏 颜世申

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射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

王文静, 萧淑琴, 刘宜华, 陈卫平, 代由勇, 姜 山, 袁慧敏, 颜世申

The influence of sputtering power on the giantmagneto-impedance of FeZrBCu film s

Wang Wen-Jing, Xiao Shu-Qin, Liu Yi-Hua, Chen Wei-Ping, Dai You-Yong, Jiang Shan, Yuan Hui-Min, Yan Shi-Shen
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  • 用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜.研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响.用电子探针显微镜测量发现,当溅射功率为240W时,薄膜样品中Fe的原子含量为8732%,Cu的原子含量为29%.这种样品的矫顽力最小,为68A/m,饱和磁化强度约为111×1055A/m,软磁性能最佳,巨磁阻抗效应最大,溅态膜在 13MHz最大巨磁阻抗比纵向为17%,横向为11%.重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有 效磁导率随频率的变化,得到在低频下主要是磁电感
    The giant magneto-impedance (GMI) effect has been observed at room temperature in soft magnetic alloy films of FeZrBCu prepared by radio frequency (RF) sputtering. The dependence of the soft magnetic properties and the GMI effect on the RF sputtering power has been studied. The results measured by electron probe micro-analysis show that the as-deposited films sputtered at 240W possess 29at% Cu and 8732at% Fe. This sample possesses excellent soft magnetic properties and a maximum value of GMI effect, the coercive force is about 68A/m, the saturation magnetization is about 111×1055A/m, and the maximum GMI r atios are 17% and 11% in longitudinal and transverse fields at frequency of 13MHz, respectively. In addition, the dependence of resistance R, inductance X and effective permeability μee on the frequency has been investigated, and the results show that the GMI effect is mainly a magneto-inductive effect at low frequencies.
    • 基金项目: 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金和山东大学青年基金资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-01-31
  • 修回日期:  2004-08-30
  • 刊出日期:  2005-02-05

射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

  • 1. (1)山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (2)山东大学物理与微电子学院,济南 250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南 250100; (3)山东大学物理与微电子学院,济南 250100;浙江台州学院物理系,临海 317000
    基金项目: 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金和山东大学青年基金资助的课题.

摘要: 用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜.研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响.用电子探针显微镜测量发现,当溅射功率为240W时,薄膜样品中Fe的原子含量为8732%,Cu的原子含量为29%.这种样品的矫顽力最小,为68A/m,饱和磁化强度约为111×1055A/m,软磁性能最佳,巨磁阻抗效应最大,溅态膜在 13MHz最大巨磁阻抗比纵向为17%,横向为11%.重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有 效磁导率随频率的变化,得到在低频下主要是磁电感

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