搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

谷锦华 周玉琴 朱美芳 李国华 丁 琨 周炳卿 刘丰珍 刘金龙 张群芳

引用本文:
Citation:

低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

谷锦华, 周玉琴, 朱美芳, 李国华, 丁 琨, 周炳卿, 刘丰珍, 刘金龙, 张群芳

Study on growth mechanism of low-temperature prepared microcrystalline Si thin f ilms

Gu Jin-Hua, Zhou Yu-Qin, Zhu Mei-Fang, Li Guo-Hua, Ding Kun, Zhou Bing-Qing, Liu Feng-Zhen, Liu Jin-Long, Zhang Qun-Fang
PDF
导出引用
  • 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品,用原子力显微镜系 统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化.按照分形理论分析得到:在 玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长;而在单晶硅衬底上,薄膜早期以有限扩散 生长模式生长,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式.岛面密度与膜厚的 依赖关系表明,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值.Raman谱的测 量证实,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶/微晶相变之间存在密切的关系.不同的衬底材料直 接影响反应
    Microcrystalline silicon thin films at different growth stages were prepared by hot wire chemical vapor deposition. Atomic force microscopy has been applied to investigate the evolution of surface topography of these films. According to the fractal analysis, it was found that, the growth of Si film deposited on glass substrate is the zero_diffused stochastic deposition; while for the film on Si substrate, it is the finite diffused deposition on the initial growth stage, and transforms to the zero_diffused stochastic deposition when the film thickness reaches a certain value. The film thickness dependence of island density shows that a maximum of island density appears at the critical film thickness for both substrates. The data of Raman spectra approve that, on the glass substrate, the a_Si:H/μc_Si:H transition is related to the critical film thickness. Different substrate materials directly affect the surface diffusion ability of radicals, resu lting in the difference of growth modes on the earlier growth stage.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028208)和中国科学院研究生院院长基金(批准号:yzjj200302_y1026)资助的课题.
计量
  • 文章访问数:  4131
  • PDF下载量:  825
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-02
  • 修回日期:  2004-12-02
  • 刊出日期:  2005-02-05

低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院研究生院物理系,北京 100049
    基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028208)和中国科学院研究生院院长基金(批准号:yzjj200302_y1026)资助的课题.

摘要: 采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品,用原子力显微镜系 统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化.按照分形理论分析得到:在 玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长;而在单晶硅衬底上,薄膜早期以有限扩散 生长模式生长,当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式.岛面密度与膜厚的 依赖关系表明,在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值.Raman谱的测 量证实,玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶/微晶相变之间存在密切的关系.不同的衬底材料直 接影响反应

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回