搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究

陈卫平 萧淑琴 王文静 姜 山 刘宜华

引用本文:
Citation:

FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究

陈卫平, 萧淑琴, 王文静, 姜 山, 刘宜华

Study on the giant magnetoimpedance effect of FeCuCrVSiB multilayered films

Chen Wei-Ping, Xiao Shu-Qin, Wang Wen-Jing, Jiang Shan, Liu Yi-Hua
PDF
导出引用
  • 研究了结构为 (FM/SiO2)3/Ag/(SiO2/FM)3 多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应(这里的F M≡FeCuCrVSiB).多层膜采用射频溅射法沉积在单晶Si衬底上,沉积过程中,沿膜面长方 向施加约72kA/m的磁场,然后在不同的温度下对样品进行了退火处理.结果表明,该多层膜 样品即使在沉积态便具有相当好的软磁性能和GMI效应,在7MHz的频率下,最大纵向和横向 巨磁阻抗比分别为45%和44%.在230℃下经90min退火处理后的样品具有最佳的GMI效应,在85MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别达到251%和277%.与磁性层总厚度相同的FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三层膜相比较,在这种多层结构中出现的GMI效应更强.
    Giant magneto-impedance (GMI) effect of a multilayered film with the structure o f (FM/SiO2)3/Ag/(SiO2/FM)3 (FM≡FeCu CrVSiB) was studied. The multilayere d film was deposited by radio frequency sputtering onto a single crystal Si subs trate. A constant magnetic field of about 72kA/m was applied along the longitudi nal direction of the film plane during deposition process, and then the samples were annealed at different temperatures. Results obtained show that the multila yered film has good soft magnetic properties and GMI effect even though in the a s-deposited state. The maximum magnetoimpedance ratios are about 45% and 44% in longitudinal and transverse cases, respectively. After the samples were annealed at 230℃ for 90min, the best GMI effect could be obtained. The maximum longitud inal and transverse magnetoimpedance ratio up to 251% and 277% were obtained at the frequency of 8.5MHz, respectively. The GMI effect in this multilayered struc ture is much stronger than the one in FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB sandwiched film w ith the same thickness of total magnetic layers.
    • 基金项目: 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金和山东大学青年基金资助项目.
计量
  • 文章访问数:  3903
  • PDF下载量:  853
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2004-09-08
  • 修回日期:  2004-11-29
  • 刊出日期:  2005-03-05

FeCuCrVSiB多层膜巨磁阻抗效应的研究

  • 1. (1)山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (2)浙江台州学院物理系,临海 317000;山东大学物理与微电子学院,济南 250100
    基金项目: 

    山东省优秀中青年科学家科研奖励基金和山东大学青年基金资助项目.

摘要: 研究了结构为 (FM/SiO2)3/Ag/(SiO2/FM)3 多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应(这里的F M≡FeCuCrVSiB).多层膜采用射频溅射法沉积在单晶Si衬底上,沉积过程中,沿膜面长方 向施加约72kA/m的磁场,然后在不同的温度下对样品进行了退火处理.结果表明,该多层膜 样品即使在沉积态便具有相当好的软磁性能和GMI效应,在7MHz的频率下,最大纵向和横向 巨磁阻抗比分别为45%和44%.在230℃下经90min退火处理后的样品具有最佳的GMI效应,在85MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别达到251%和277%.与磁性层总厚度相同的FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三层膜相比较,在这种多层结构中出现的GMI效应更强.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回