γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

邹  军; 张连翰; 周圣明; 徐  军; 韩  平; 张  荣

doi:10.7498/aps.54.4269

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γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

邹军 , 张连翰 , 周圣明 , 徐军 , 韩平 , 张荣

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凝聚物质：结构、热学和力学性质

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

邹军, 张连翰, 周圣明, 徐军, 韩平, 张荣

物理学报, 2005, 54(9): 4269-4272.

doi: 10.7498/aps.54.4269

Study on the growth, modification and thermal properties of γ-LiAlO2 single crystals

Zou Jun, Zhang Lian-Han, Zhou Sheng-Ming, Xu Jun, Han Ping, Zhang Rong

Acta Phys. Sin., 2005, 54(9): 4269-4272.

doi: 10.7498/aps.54.4269

摘要
采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体，但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法（vapor transport equilibra tion technique,VTE）工艺对晶体改性，半高宽（FWHM）值从1169arcsec降至442arcsec，继续升高VTE处理温度至1300℃，FWHM值反而升高至552arcsec.快速提拉法生长出来晶体，100］方向和［001］方向的热膨胀系数分别为172398×10-6/K，107 664×10-6/K.经过三步VTE处理后［100］和［001］方向热膨胀系数降至16 6539×10-6/K和101784×10-6/K.

关键词:
γ-LiAlO2 /

气相传输平衡法 /

热膨胀系数
Abstract
Transparent and crack-free γ-LiAlO2 single crystal was grown by quic k Czochra lski technique. However, high melting point and easy volatilization degraded the quality of the crystal. The fall with at half maximum(FWHM) value dropped from 1169arcsec to 442arcsec when the crystal was modified by vapor transport equ ilibrium(VTE) technique. But when the temperature of VTE was 1300℃, the FWHM va lue increased to 552arcsec. The ［100］-orientation thermal expansion coeffici ent of the as-grown crystal was 176798×10-6/K, while that alon g the ［0 01］-orientation was 107664×10-6/K. After three VTE treatments , the cor responding thermal expansion coefficients decreased to 166539×10-6/K and 101784×10-6/K, respectively.

Keywords:
γ-LiAlO2 /

vapor transport equilibrium /

thermal expansion coefficient
作者及机构信息
邹军³,

张连翰²,

周圣明²,

徐军²,

韩平¹,

张荣¹

(1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039

基金项目: 中国科学院“百人计划”和国家高技术研究发展计划(批准号：2004AA311080)资助的课题
Authors and contacts
Zou Jun³,

Zhang Lian-Han²,

Zhou Sheng-Ming²,

Xu Jun²,

Han Ping¹,

Zhang Rong¹

(1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039
参考文献

施引文献

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物理学报. 2005, 54(9): 4269-4272.

doi: 10.7498/aps.54.4269.

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

1. (1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039

基金项目: 中国科学院“百人计划”和国家高技术研究发展计划(批准号：2004AA311080)资助的课题

收稿日期: 2005-01-04
修回日期: 2005-03-07
刊出日期: 2005-09-20

摘要: 采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体，但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法（vapor transport equilibra tion technique,VTE）工艺对晶体改性，半高宽（FWHM）值从1169arcsec降至442arcsec，继续升高VTE处理温度至1300℃，FWHM值反而升高至552arcsec.快速提拉法生长出来晶体，100］方向和［001］方向的热膨胀系数分别为172398×10-6/K，107 664×10-6/K.经过三步VTE处理后［100］和［001］方向热膨胀系数降至16 6539×10-6/K和101784×10-6/K.

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(1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039

Authors and contacts

(1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039

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1.
(1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039

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1. (1)南京大学物理系,南京 210093; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800; (3)中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 201800;中国科学院研究生院,北京 100039

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