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带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态

成步文 姚 飞 薛春来 张建国 李传波 毛容伟 左玉华 罗丽萍 王启明

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带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态

成步文, 姚 飞, 薛春来, 张建国, 李传波, 毛容伟, 左玉华, 罗丽萍, 王启明

A method to estimate the strain state of SiGe/Si by measuring the bandgap

Cheng Bu-Wen, Yao Fei, Xue Chun-Lai, Zhang Jian-Guo, Li Chuan-Bo, Mao Rong-Wei, Zuo Yu-Hua, Luo Li-Ping, Wang Qi-Ming
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-12-19
  • 修回日期:  2005-02-23
  • 刊出日期:  2005-09-20

带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312010),国家重点基础研究发展规划(批准号:G 2000036603)和国家自然科学基金(批准号:60336010)资助的课题.

摘要: 从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于085的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结 果表明,应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的.

English Abstract

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