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用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

缑 洁 何志巍 潘国辉 王印月

引用本文:
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用SCLC法研究低k多孔SiO2:F薄膜的隙态密度

缑 洁, 何志巍, 潘国辉, 王印月

Density of defect states in low-k porous SiO2:F film researched by SCLC method

Gou Jie, He Zhi-Wei, Pan Guo-Hui, Wang Yin-Yue
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-28
  • 修回日期:  2005-12-09
  • 刊出日期:  2006-03-05

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