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Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析

丁志博 姚淑德 王 坤 程 凯

引用本文:
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Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析

丁志博, 姚淑德, 王 坤, 程 凯

Characterization of crystal lattice constant and strain of GaN epilayers with different AlxGa1-xN and AlN buffer layers grown on Si(111)

Ding Zhi-Bo, Yao Shu-De, Wang Kun, Cheng Kai
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-06
  • 修回日期:  2005-12-27
  • 刊出日期:  2006-03-05

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