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He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究

陈志权 河裾厚男

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He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究

陈志权, 河裾厚男

Vacancy-type defects induced by He-implantation in ZnO studied by a slow positron beam

Chen Zhi-Quan, Kawasuso Atsuo
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-24
  • 修回日期:  2006-04-13
  • 刊出日期:  2006-04-05

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