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高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究

刘乃鑫 王怀兵 刘建平 牛南辉 张念国 李 彤 邢艳辉 韩 军 郭 霞 沈光地

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高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究

刘乃鑫, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 李 彤, 邢艳辉, 韩 军, 郭 霞, 沈光地

Investigation of high hole concentration Mg-doped InGaN epilayer

Liu Nai-Xin, Wang Huai-Bing, Liu Jian-Ping, Niu Nan-Hui, Zhang Nian-Guo, Li Tong, Xing Yan-Hui, Han Jun, Guo Xia, Shen Guang-Di
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-01
  • 修回日期:  2006-04-05
  • 刊出日期:  2006-09-20

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