长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

潘教青; 赵  谦; 朱洪亮; 赵玲娟; 丁  颖; 王宝军; 周  帆; 王鲁峰; 王  圩

doi:10.7498/aps.55.5216

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

潘教青 , 赵谦 , 朱洪亮 , 赵玲娟 , 丁颖 , 王宝军 , 周帆 , 王鲁峰 , 王圩

引用本文:

Citation:

唯象论的经典领域

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

潘教青, 赵谦, 朱洪亮, 赵玲娟, 丁颖, 王宝军, 周帆, 王鲁峰, 王圩

物理学报, 2006, 55(10): 5216-5220.

doi: 10.7498/aps.55.5216

Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers

Pan Jiao-Qing, Zhao Qian, Zhu Hong-Liang, Zhao Ling-Juan, Ding Ying, Wang Bao-Jun, Zhou Fan, Wang Lu-Feng, Wang Wei

Acta Phys. Sin., 2006, 55(10): 5216-5220.

doi: 10.7498/aps.55.5216

摘要
采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T0=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.

关键词:
MOCVD /

InGaAs/InGaAsP /

应变量子阱 /

分布反馈激光器
Abstract
1.6—1.7μm highly strained InGaAs/InGaAsP distributed feedback lasers was grown and fabricated by low pressure mentalorganic chemical vapor deposition. High quality highly strained InGaAs/InP materials were obtained by using strain buffer layer. Four pairs of highly strained quantum wells were used in the devices and carrier blocking layer was used to improve the temperature characteristics of the devices. The uncoated 1.66μm and 1.74μm lasers with ridge wave guide 3μm wide have low threshold current (14mW at 100mA). In the temperature range from 10℃ to 40℃, the characteristic temperature T0 of the 1.74μm laser is 57K, which is comparable to that of the 1.55μm-wavelength InGaAsP/InP-DFB laser.

Keywords:
MOCVD /

InGaAs/InGaAsP /

strained quantum well /

distributed feedback laser
作者及机构信息
潘教青,

赵谦,

朱洪亮,

赵玲娟,

丁颖,

王宝军,

周帆,

王鲁峰,

王圩

1.
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：60176023)资助的课题.
Authors and contacts
Pan Jiao-Qing,

Zhao Qian,

Zhu Hong-Liang,

Zhao Ling-Juan,

Ding Ying,

Wang Bao-Jun,

Zhou Fan,

Wang Lu-Feng,

Wang Wei

1.
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083
参考文献

施引文献

[1]	朱永浩, 黎华, 万文坚, 周涛, 曹俊诚. 三阶分布反馈太赫兹量子级联激光器的远场分布特性. 物理学报, 2017, 66(9): 099501. doi: 10.7498/aps.66.099501
[2]	刘丽娟, 黄文彬, 刁志辉, 张桂洋, 彭增辉, 刘永刚, 宣丽. 基于聚合物支撑形貌液晶/聚合物光栅的低阈值分布反馈式激光器. 物理学报, 2014, 63(19): 194202. doi: 10.7498/aps.63.194202
[3]	秦杰明, 曹建明, 蒋大勇. Mg0.57Zn0.43O合金薄膜生长及性能表征. 物理学报, 2013, 62(13): 138101. doi: 10.7498/aps.62.138101
[4]	孙沛, 李建军, 邓军, 韩军, 马凌云, 刘涛. (Al0.1Ga0.9)0.5In0.5P材料的MOCVD生长温度窗口研究. 物理学报, 2013, 62(2): 026801. doi: 10.7498/aps.62.026801
[5]	张帆, 李林, 马晓辉, 李占国, 隋庆学, 高欣, 曲轶, 薄报学, 刘国军. InGaAs/GaAs应变量子阱激光器线宽展宽因子的理论研究. 物理学报, 2012, 61(5): 054209. doi: 10.7498/aps.61.054209
[6]	邢海英, 范广涵, 杨学林, 张国义. 金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究. 物理学报, 2010, 59(1): 504-507. doi: 10.7498/aps.59.504
[7]	谢红云, 金冬月, 何莉剑, 张蔚, 王路, 张万荣, 王圩. 基于DFB激光器的光学微波信号的产生. 物理学报, 2008, 57(7): 4558-4563. doi: 10.7498/aps.57.4558
[8]	李彤, 王怀兵, 刘建平, 牛南辉, 张念国, 邢艳辉, 韩军, 刘莹, 高国, 沈光地. Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究. 物理学报, 2007, 56(2): 1036-1040. doi: 10.7498/aps.56.1036
[9]	陈新亮, 薛俊明, 张德坤, 孙建, 任慧志, 赵颖, 耿新华. 衬底温度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响. 物理学报, 2007, 56(3): 1563-1567. doi: 10.7498/aps.56.1563
[10]	谢自力, 张荣, 修向前, 韩平, 刘斌, 陈琳, 俞慧强, 江若琏, 施毅, 郑有炓. 用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究. 物理学报, 2007, 56(11): 6717-6721. doi: 10.7498/aps.56.6717
[11]	彭冬生, 冯玉春, 王文欣, 刘晓峰, 施炜, 牛憨笨. 一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法. 物理学报, 2006, 55(7): 3606-3610. doi: 10.7498/aps.55.3606
[12]	袁洪涛, 张　跃, 谷景华. 原位生长高度定向ZnO晶须. 物理学报, 2004, 53(2): 646-650. doi: 10.7498/aps.53.646
[13]	马　宏, 朱光喜, 陈四海, 易新建. 金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变量子阱半导体光放大器研究. 物理学报, 2004, 53(12): 4257-4261. doi: 10.7498/aps.53.4257
[14]	辛国锋, 陈国鹰, 花吉珍, 赵润, 康志龙, 冯荣珠, 安振峰. 941nm大功率应变单量子阱激光器的波长设计. 物理学报, 2004, 53(5): 1293-1298. doi: 10.7498/aps.53.1293
[15]	马宏, 陈四海, 金锦炎, 易新建, 朱光喜. 1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器及其温度特性研究. 物理学报, 2004, 53(6): 1868-1872. doi: 10.7498/aps.53.1868
[16]	黄劲松, 董逊, 刘祥林, 徐仲英, 葛维琨. AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究. 物理学报, 2003, 52(10): 2632-2637. doi: 10.7498/aps.52.2632
[17]	张德恒, 刘云燕, 张德骏. 用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导. 物理学报, 2001, 50(9): 1800-1804. doi: 10.7498/aps.50.1800
[18]	廉鹏, 殷涛, 高国, 邹德恕, 陈昌华, 李建军, 沈光地, 马骁宇, 陈良惠. 新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器. 物理学报, 2000, 49(12): 2374-2377. doi: 10.7498/aps.49.2374
[19]	吴正云, 王小军, 余辛, 黄启圣. 用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质. 物理学报, 1997, 46(7): 1395-1399. doi: 10.7498/aps.46.1395
[20]	卢励吾, 周洁, 封松林, 徐俊英, 杨辉. MBE和MOCVD生长的AIGaAs/GaAs GRIN—SCH SQW激光器深中心的比较. 物理学报, 1995, 44(8): 1249-1255. doi: 10.7498/aps.44.1249

计量

文章访问数: 6450
PDF下载量: 1746
被引次数: 0

物理学报. 2006, 55(10): 5216-5220.

doi: 10.7498/aps.55.5216.

唯象论的经典领域

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

1. 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083

基金项目: 国家自然科学基金(批准号：60176023)资助的课题.

收稿日期: 2005-09-12
修回日期: 2005-10-31
刊出日期: 2006-05-05

摘要: 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术，得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱，加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA)，输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃，1.74μm激光器的特征温度T0=57K，和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083

Authors and contacts

1.
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083

参考文献

施引文献

目录

计量

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

English Abstract

Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers

1.
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083

Authors and contacts

1. 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备

English Abstract

Material growth and device fabrication of highly strained InGaAs/InGaAsP long wavelength distributed feedback lasers

1. 中国科学院半导体研究所 光电子研究发展中心，北京 100083

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083

1.
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083

1.
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，北京 100083