基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

李萍剑; 张文静; 张琦锋; 吴锦雷

doi:10.7498/aps.56.1054

搜索

期刊名称:

年:

起始页:

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

李萍剑 , 张文静 , 张琦锋 , 吴锦雷

引用本文:

Citation:

基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

李萍剑, 张文静, 张琦锋, 吴锦雷

物理学报, 2007, 56(2): 1054-1060.

doi: 10.7498/aps.56.1054

Nanoelectronic logic circuits with carbon nanotube transistors

Li Ping-Jian, Zhang Wen-Jing, Zhang Qi-Feng, Wu Jin-Lei

Acta Phys. Sin., 2007, 56(2): 1054-1060.

doi: 10.7498/aps.56.1054

摘要
展示了由碳纳米管场效应管构成的三种逻辑电路，分别为单个p型碳纳米管场效应管的开关电路、由集成在同一片硅片上的单个p型碳纳米管场效应管和单个n型掺氮碳纳米管场效应管构成的互补型反相器，以及两个独立的p型碳纳米管场效应管构成的或非门. 其中p型碳纳米管场效应管以单壁碳纳米管作为沟道，而n型碳纳米管场效应管则以掺氮的多壁碳纳米管作为沟道，器件的源漏电极均为铂电极.

关键词:
碳纳米管 /

场效应管 /

逻辑电路
Abstract
We demonstrate logic circuits with carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs). The p-type CNTFETs are fabricated based on single-walled carbon nanotubes and n-type CNTFETs are fabricated based on nitrogen-doped multiwalled carbon nanotubes. To be specitic, we demonstrate three types of logic circuits with CNTFETs, which include an inverter (a p-type CNTFET), a complementary inverter (a p-type CNTFET and an n-type CNTFET in a single clip), and a logic NOR (two p-type CNTFETs).

Keywords:
carbon nanotube /

transistor /

logic circuits
作者及机构信息
李萍剑,

张文静,

张琦锋,

吴锦雷

1.
北京大学电子学系,北京 100871

基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)，国家自然科学基金(批准号:90206048,90406014,90406024,60471007)和北京市自然科学基金(批准号:4042017)资助的课题.
Authors and contacts
Li Ping-Jian,

Zhang Wen-Jing,

Zhang Qi-Feng,

Wu Jin-Lei

1.
北京大学电子学系,北京 100871
参考文献

施引文献

[1]	秦成龙, 罗祥燕, 谢泉, 吴乔丹. 碳纳米管和碳化硅纳米管热导率的分子动力学研究. 物理学报, 2022, 71(3): 030202. doi: 10.7498/aps.71.20210969
[2]	林旖旎, 马立, 杨权, 耿松超, 叶茂盛, 陈涛, 孙立宁. 径向压缩碳纳米管的电子输运性质. 物理学报, 2022, 71(2): 027301. doi: 10.7498/aps.71.20211370
[3]	林旖旎, 马立, 杨权, 陈涛. 径向压缩碳纳米管的电子输运性质. 物理学报, 2021, (): . doi: 10.7498/aps.70.20211370
[4]	马玉龙, 向伟, 金大志, 陈磊, 姚泽恩, 王琦龙. 碳纳米管薄膜场蒸发效应. 物理学报, 2016, 65(9): 097901. doi: 10.7498/aps.65.097901
[5]	吴春艳, 杜晓薇, 周麟, 蔡奇, 金妍, 唐琳, 张菡阁, 胡国辉, 金庆辉. 顶栅石墨烯离子敏场效应管的表征及其初步应用. 物理学报, 2016, 65(8): 080701. doi: 10.7498/aps.65.080701
[6]	温家乐, 徐志成, 古宇, 郑冬琴, 钟伟荣. 异质结碳纳米管的热整流效率. 物理学报, 2015, 64(21): 216501. doi: 10.7498/aps.64.216501
[7]	唐欣月, 高红, 潘思明, 孙鉴波, 姚秀伟, 张喜田. 单根In掺杂ZnO纳米带场效应管的电学性质. 物理学报, 2014, 63(19): 197302. doi: 10.7498/aps.63.197302
[8]	唐晶晶, 冯妍卉, 李威, 崔柳, 张欣欣. 碳纳米管电缆式复合材料的热导率. 物理学报, 2013, 62(22): 226102. doi: 10.7498/aps.62.226102
[9]	李振武. 纳米CdS/碳纳米管复合材料的光电特性. 物理学报, 2012, 61(1): 016103. doi: 10.7498/aps.61.016103
[10]	杨晓阔, 蔡理, 康强, 柏鹏, 赵晓辉, 冯朝文, 张立森. 磁性量子元胞自动机逻辑电路的转换特性研究. 物理学报, 2011, 60(9): 098503. doi: 10.7498/aps.60.098503
[11]	孟利军, 肖化平, 唐超, 张凯旺, 钟建新. 碳纳米管-硅纳米线复合结构的形成和热稳定性. 物理学报, 2009, 58(11): 7781-7786. doi: 10.7498/aps.58.7781
[12]	刘红, 印海建. 外加轴向磁场下碳纳米管场效应晶体管的电学性质. 物理学报, 2009, 58(5): 3287-3292. doi: 10.7498/aps.58.3287
[13]	侯泉文, 曹炳阳, 过增元. 碳纳米管的热导率:从弹道到扩散输运. 物理学报, 2009, 58(11): 7809-7814. doi: 10.7498/aps.58.7809
[14]	刘红, 印海建, 夏树宁. 形变碳纳米管场效应晶体管的电学性质. 物理学报, 2009, 58(12): 8489-8500. doi: 10.7498/aps.58.8489
[15]	欧阳玉, 彭景翠, 王慧, 易双萍. 碳纳米管的稳定性研究. 物理学报, 2008, 57(1): 615-620. doi: 10.7498/aps.57.615
[16]	柏鑫, 王鸣生, 刘洋, 张耿民, 张兆祥, 赵兴钰, 郭等柱, 薛增泉. 碳纳米管端口的场蒸发. 物理学报, 2008, 57(7): 4596-4601. doi: 10.7498/aps.57.4596
[17]	张威, 李梦轲, 魏强, 曹璐, 杨志, 乔双双. ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究. 物理学报, 2008, 57(9): 5887-5892. doi: 10.7498/aps.57.5887
[18]	孟利军, 张凯旺, 钟建新. 硅纳米颗粒在碳纳米管表面生长的分子动力学模拟. 物理学报, 2007, 56(2): 1009-1013. doi: 10.7498/aps.56.1009
[19]	张助华, 郭万林, 郭宇锋. 轴向磁场对碳纳米管电子性质的影响. 物理学报, 2006, 55(12): 6526-6531. doi: 10.7498/aps.55.6526
[20]	李萍剑, 张文静, 张琦锋, 吴锦雷. 接触电极的功函数对基于碳纳米管构建的场效应管的影响. 物理学报, 2006, 55(10): 5460-5465. doi: 10.7498/aps.55.5460

计量

文章访问数: 6884
PDF下载量: 1804
被引次数: 0

物理学报. 2007, 56(2): 1054-1060.

doi: 10.7498/aps.56.1054.

基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

1. 北京大学电子学系,北京 100871

基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)，国家自然科学基金(批准号:90206048,90406014,90406024,60471007)和北京市自然科学基金(批准号:4042017)资助的课题.

收稿日期: 2006-06-05
修回日期: 2006-07-19
刊出日期: 2007-01-05

摘要: 展示了由碳纳米管场效应管构成的三种逻辑电路，分别为单个p型碳纳米管场效应管的开关电路、由集成在同一片硅片上的单个p型碳纳米管场效应管和单个n型掺氮碳纳米管场效应管构成的互补型反相器，以及两个独立的p型碳纳米管场效应管构成的或非门. 其中p型碳纳米管场效应管以单壁碳纳米管作为沟道，而n型碳纳米管场效应管则以掺氮的多壁碳纳米管作为沟道，器件的源漏电极均为铂电极.

关键词:

English Abstract

全文HTML

下载: 全尺寸图片幻灯片

返回文章

搜索

留言板

基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

Nanoelectronic logic circuits with carbon nanotube transistors

摘要

Abstract

作者及机构信息

1.
北京大学电子学系,北京 100871

Authors and contacts

1.
北京大学电子学系,北京 100871

参考文献

施引文献

目录

计量

基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

English Abstract

Nanoelectronic logic circuits with carbon nanotube transistors

1.
北京大学电子学系,北京 100871

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

搜索

留言板

基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

Nanoelectronic logic circuits with carbon nanotube transistors

摘要

Abstract

作者及机构信息

1. 北京大学电子学系,北京 100871

Authors and contacts

1. 北京大学电子学系,北京 100871

参考文献

施引文献

目录

计量

出版历程

基于碳纳米管场效应管构建的纳电子逻辑电路

English Abstract

Nanoelectronic logic circuits with carbon nanotube transistors

1. 北京大学电子学系,北京 100871

全文HTML

目录

作者中心

审稿中心

关于期刊

关于我们

1.
北京大学电子学系,北京 100871

1.
北京大学电子学系,北京 100871

1.
北京大学电子学系,北京 100871