[1] |
翁明, 谢少毅, 殷明, 曹猛. 介质材料二次电子发射特性对微波击穿的影响. 物理学报,
2020, 69(8): 087901.
doi: 10.7498/aps.69.20200026
|
[2] |
邓小庆, 邓联文, 何伊妮, 廖聪维, 黄生祥, 罗衡. InGaZnO薄膜晶体管泄漏电流模型. 物理学报,
2019, 68(5): 057302.
doi: 10.7498/aps.68.20182088
|
[3] |
周前红, 孙会芳, 董志伟, 周海京. 微波大气击穿阈值的理论研究. 物理学报,
2015, 64(17): 175202.
doi: 10.7498/aps.64.175202
|
[4] |
李维勤, 刘丁, 张海波. 高能电子照射绝缘样品的泄漏电流特性. 物理学报,
2014, 63(22): 227303.
doi: 10.7498/aps.63.227303
|
[5] |
赵朋程, 廖成, 杨丹, 钟选明, 林文斌. 基于流体模型和非平衡态电子能量分布函数的高功率微波气体击穿研究. 物理学报,
2013, 62(5): 055101.
doi: 10.7498/aps.62.055101
|
[6] |
李世文, 冯国英, 李玮, 韩敬华, 周晟阳, 殷家家, 杨超, 周寿桓. 高压击穿铜丝物相研究. 物理学报,
2012, 61(22): 225206.
doi: 10.7498/aps.61.225206
|
[7] |
施卫, 田立强, 王馨梅, 徐鸣, 马德明, 周良骥, 刘宏伟, 谢卫平. 高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究. 物理学报,
2009, 58(2): 1219-1223.
doi: 10.7498/aps.58.1219
|
[8] |
栾苏珍, 刘红侠, 贾仁需. 动态应力下超薄栅氧化层经时击穿的可靠性评价. 物理学报,
2008, 57(4): 2524-2528.
doi: 10.7498/aps.57.2524
|
[9] |
李 潇, 张海英, 尹军舰, 刘 亮, 徐静波, 黎 明, 叶甜春, 龚 敏. 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究. 物理学报,
2007, 56(7): 4117-4121.
doi: 10.7498/aps.56.4117
|
[10] |
郭亮良, 冯 倩, 马香柏, 郝 跃, 刘 杰. GaN FP-HEMTs中击穿电压与电流崩塌的关系. 物理学报,
2007, 56(5): 2900-2904.
doi: 10.7498/aps.56.2900
|
[11] |
卢 肖, 吴传贵, 张万里, 李言荣. 射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究. 物理学报,
2006, 55(5): 2513-2517.
doi: 10.7498/aps.55.2513
|
[12] |
马晓华, 郝 跃, 陈海峰, 曹艳荣, 周鹏举. 电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性. 物理学报,
2006, 55(11): 6118-6122.
doi: 10.7498/aps.55.6118
|
[13] |
哈斯乌力吉, 吕志伟, 何伟明, 李 强, 巴德欣. 光学击穿对受激布里渊散射特性的影响. 物理学报,
2005, 54(12): 5654-5658.
doi: 10.7498/aps.54.5654
|
[14] |
刘红侠, 郑雪峰, 郝 跃. 闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理. 物理学报,
2005, 54(12): 5867-5871.
doi: 10.7498/aps.54.5867
|
[15] |
王彦刚, 许铭真, 谭长华, 段小蓉. 超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制. 物理学报,
2005, 54(8): 3884-3888.
doi: 10.7498/aps.54.3884
|
[16] |
刘红侠, 郝跃. 应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究. 物理学报,
2001, 50(9): 1769-1773.
doi: 10.7498/aps.50.1769
|
[17] |
杨志安, 靳 涛, 杨祖慎, 奎热西, 崔明启, 刘风琴. 软X射线辐照引起的InP表面电子态变化. 物理学报,
1999, 48(6): 1113-1117.
doi: 10.7498/aps.48.1113
|
[18] |
李正瀛. 电负性混合气体临界击穿场强与电子附着速率的探讨. 物理学报,
1990, 39(9): 1400-1406.
doi: 10.7498/aps.39.1400
|
[19] |
陈斗南, 刘百勇, 郑学仁. 薄SixOyNz膜击穿机理的研究. 物理学报,
1989, 38(1): 68-75.
doi: 10.7498/aps.38.68
|
[20] |
杨士才, 王龙. 托卡马克装置的击穿条件. 物理学报,
1987, 36(11): 1385-1394.
doi: 10.7498/aps.36.1385
|