搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

辐射感生应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMT电学特性的影响

范 隆 郝 跃

引用本文:
Citation:

辐射感生应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMT电学特性的影响

范 隆, 郝 跃

The effect of radiation induced strain relaxation on electric performance of AlmGa1-mN/GaN HEMT

Fan Long, Hao Yue
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  7457
  • PDF下载量:  1423
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-04-03
  • 修回日期:  2006-11-16
  • 刊出日期:  2007-03-05

/

返回文章
返回