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应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

张鹤鸣 崔晓英 胡辉勇 戴显英 宣荣喜

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应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜

Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET

Zhang He-Ming, Cui Xiao-Ying, Hu Hui-Yong, Dai Xian-Ying, Xuan Rong-Xi
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-10-31
  • 修回日期:  2006-11-30
  • 刊出日期:  2007-03-05

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