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												doi: 10.7498/aps.69.200101 | 
							
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									| [5] | 周幸叶, 吕元杰, 谭鑫, 王元刚, 宋旭波, 何泽召, 张志荣, 刘庆彬, 韩婷婷, 房玉龙, 冯志红. 基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.66.043201 | 
							
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									| [8] | 张旺, 徐法强, 王国栋, 张文华, 李宗木, 王立武, 陈铁锌. Fe/ZnO (0001)体系界面相互作用中薄膜厚度效应的光电子能谱研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.60.017104 | 
							
									| [9] | 任玲, 常本康, 侯瑞丽, 王勇. 均匀掺杂GaAs材料光电子的输运性能研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.60.087202 | 
							
									| [10] | 郝立超, 段俊丽. 表面电荷与体陷阱对GaN基HEMT器件热电子和量子效应的影响研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.59.2746 | 
							
									| [11] | 袁勇波, 刘玉真, 邓开明, 杨金龙. SiN团簇光电子能谱的指认. 物理学报,
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									| [12] | 杨少鹏, 郑红芳, 李春雷, 傅广生, 李晓苇, 许春华, 李金培. 纳米硫化镍增感的溴化银微晶中光电子衰减特性研究. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.55.2144 | 
							
									| [13] | 徐彭寿, 邓锐, 潘海斌, 徐法强, 谢长坤, 李拥华, 刘凤琴, 易布拉欣·奎热西. GaN表面极性的光电子衍射研究. 物理学报,
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									| [14] | 李晓苇, 李新政, 江晓利, 于 威, 田晓东, 杨少鹏, 傅广生. S+Au增感中心的电子陷阱效应对光电子行为的影响. 物理学报,
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												doi: 10.7498/aps.14.139 |