[1] |
周小红, 杨卿, 邹军涛, 梁淑华. 生长条件对Ga掺杂ZnO薄膜微观结构及光致发光性能的影响. 物理学报,
2015, 64(8): 087803.
doi: 10.7498/aps.64.087803
|
[2] |
吴艳南, 徐明, 吴定才, 董成军, 张佩佩, 纪红萱, 何林. Co,Sn共掺ZnO薄膜结构与光致发光的研究. 物理学报,
2011, 60(7): 077505.
doi: 10.7498/aps.60.077505
|
[3] |
谢婧, 黎兵, 李愿杰, 颜璞, 冯良桓, 蔡亚平, 郑家贵, 张静全, 李卫, 武莉莉, 雷智, 曾广根. 射频磁控溅射法制备ZnS多晶薄膜及其性质. 物理学报,
2010, 59(8): 5749-5754.
doi: 10.7498/aps.59.5749
|
[4] |
高立, 张建民. 微量Mg掺杂ZnO薄膜的光致发光光谱和带隙变化机理研究. 物理学报,
2010, 59(2): 1263-1267.
doi: 10.7498/aps.59.1263
|
[5] |
吴定才, 胡志刚, 段满益, 徐禄祥, 刘方舒, 董成军, 吴艳南, 纪红萱, 徐明. Co与Cu掺杂ZnO薄膜的制备与光致发光研究. 物理学报,
2009, 58(10): 7261-7266.
doi: 10.7498/aps.58.7261
|
[6] |
李阳平, 刘正堂. 等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化. 物理学报,
2009, 58(7): 5022-5028.
doi: 10.7498/aps.58.5022
|
[7] |
于 威, 李亚超, 丁文革, 张江勇, 杨彦斌, 傅广生. 氮化硅薄膜中纳米非晶硅颗粒的键合结构及光致发光. 物理学报,
2008, 57(6): 3661-3665.
doi: 10.7498/aps.57.3661
|
[8] |
潘孝军, 张振兴, 王 涛, 李 晖, 谢二庆. 溅射制备纳米晶GaN∶Er薄膜的室温发光特性. 物理学报,
2008, 57(6): 3786-3790.
doi: 10.7498/aps.57.3786
|
[9] |
李阳平, 刘正堂, 刘文婷, 闫 峰, 陈 静. GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质. 物理学报,
2008, 57(10): 6587-6592.
doi: 10.7498/aps.57.6587
|
[10] |
王振宁, 江美福, 宁兆元, 朱 丽. 磁控共溅射法制备的Zn2GeO4多晶薄膜结构及其光致发光研究. 物理学报,
2008, 57(10): 6507-6512.
doi: 10.7498/aps.57.6507
|
[11] |
李阳平, 刘正堂, 赵海龙, 刘文婷, 闫 锋. GaP薄膜的射频磁控溅射沉积及其计算机模拟. 物理学报,
2007, 56(5): 2937-2944.
doi: 10.7498/aps.56.2937
|
[12] |
王英龙, 卢丽芳, 闫常瑜, 褚立志, 周 阳, 傅广生, 彭英才. 具有窄光致发光谱的纳米Si晶薄膜的激光烧蚀制备. 物理学报,
2005, 54(12): 5738-5742.
doi: 10.7498/aps.54.5738
|
[13] |
张锡健, 马洪磊, 王卿璞, 马 瑾, 宗福建, 肖洪地, 计 峰. 射频磁控溅射法生长MgxZn1-xO薄膜的结构和光学特性. 物理学报,
2005, 54(9): 4309-4312.
doi: 10.7498/aps.54.4309
|
[14] |
王玉恒, 马 瑾, 计 峰, 余旭浒, 张锡健, 马洪磊. 射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究. 物理学报,
2005, 54(4): 1731-1735.
doi: 10.7498/aps.54.1731
|
[15] |
徐大印, 刘彦平, 何志巍, 方泽波, 刘雪芹, 王印月. 多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为. 物理学报,
2004, 53(8): 2694-2698.
doi: 10.7498/aps.53.2694
|
[16] |
李伙全, 宁兆元, 程珊华, 江美福. 射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移. 物理学报,
2004, 53(3): 867-870.
doi: 10.7498/aps.53.867
|
[17] |
张喜田, 肖芝燕, 张伟力, 高 红, 王玉玺, 刘益春, 张吉英, 许 武. 高质量纳米ZnO薄膜的光致发光特性研究. 物理学报,
2003, 52(3): 740-744.
doi: 10.7498/aps.52.740
|
[18] |
张德恒, 王卿璞, 薛忠营. 不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光. 物理学报,
2003, 52(6): 1484-1487.
doi: 10.7498/aps.52.1484
|
[19] |
马书懿, 秦国刚, 尤力平, 王印月. 含纳米硅和纳米锗的氧化硅薄膜光致发光的比较研究. 物理学报,
2001, 50(8): 1580-1584.
doi: 10.7498/aps.50.1580
|
[20] |
袁放成, 冉广照, 陈源, 张伯蕊, 乔永平, 傅济时, 秦国刚, 马振昌, 宗婉华. 磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er3+ 1.54μm光致发光. 物理学报,
2001, 50(12): 2487-2491.
doi: 10.7498/aps.50.2487
|