| [1] |
袁用开, 陈茜, 高廷红, 梁永超, 谢泉, 田泽安, 郑权, 陆飞. GaAs晶体在不同应变下生长过程的分子动力学模拟. 物理学报,
2023, 72(13): 136801.
doi: 10.7498/aps.72.20221860
|
| [2] |
潘凤春, 林雪玲, 王旭明. 应变对(Ga, Mo)Sb磁学和光学性质影响的理论研究. 物理学报,
2022, 71(9): 096103.
doi: 10.7498/aps.71.20212316
|
| [3] |
何安, 薛存. 缺陷调控临界温度梯度超导膜的磁通整流反转效应. 物理学报,
2022, 71(2): 027401.
doi: 10.7498/aps.71.20211157
|
| [4] |
王垚, 姜璐, 周又和, 薛存. 超导薄膜磁-热不稳定与强非线性电磁本构的关联性. 物理学报,
2022, 71(20): 207401.
doi: 10.7498/aps.71.20220285
|
| [5] |
白刚, 韩宇航, 高存法. (111)取向无铅K0.5Na0.5NbO3外延薄膜的相变和电卡效应: 外应力与错配应变效应. 物理学报,
2022, 71(9): 097701.
doi: 10.7498/aps.71.20220234
|
| [6] |
王鑫, 李桦, 董正超, 仲崇贵. 二维应变作用下超导薄膜LiFeAs的磁性和电子性质. 物理学报,
2019, 68(2): 027401.
doi: 10.7498/aps.68.20180957
|
| [7] |
董晓莉, 袁洁, 黄裕龙, 冯中沛, 倪顺利, 田金朋, 周放, 金魁, 赵忠贤. 铁硒基超导研究新进展:高质量(Li,Fe)OHFeSe单晶薄膜. 物理学报,
2018, 67(12): 127403.
doi: 10.7498/aps.67.20180770
|
| [8] |
肖美霞, 梁尤平, 陈玉琴, 刘萌. 应变对两层半氢化氮化镓薄膜电磁学性质的调控机理研究. 物理学报,
2016, 65(2): 023101.
doi: 10.7498/aps.65.023101
|
| [9] |
谢剑锋, 曹觉先. 六角氮化硼片能带结构的应变调控. 物理学报,
2013, 62(1): 017302.
doi: 10.7498/aps.62.017302
|
| [10] |
任晓栋, 刘建军, 张文清. 应变对层状锰系锂离子电池正极材料输出电压的影响. 物理学报,
2012, 61(18): 183101.
doi: 10.7498/aps.61.183101
|
| [11] |
吴木生, 徐波, 刘刚, 欧阳楚英. 应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究. 物理学报,
2012, 61(22): 227102.
doi: 10.7498/aps.61.227102
|
| [12] |
黄诗浩, 李成, 陈城钊, 郑元宇, 赖虹凯, 陈松岩. N型掺杂应变Ge发光性质. 物理学报,
2012, 61(3): 036202.
doi: 10.7498/aps.61.036202
|
| [13] |
张鲁山, 于洪飞, 郭永权. FeTe合金结构分析及其薄膜制备. 物理学报,
2012, 61(1): 016101.
doi: 10.7498/aps.61.016101
|
| [14] |
顾芳, 张加宏, 杨丽娟, 顾斌. 应变石墨烯纳米带谐振特性的分子动力学研究. 物理学报,
2011, 60(5): 056103.
doi: 10.7498/aps.60.056103
|
| [15] |
姚 飞, 薛春来, 成步文, 王启明. 重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响. 物理学报,
2007, 56(11): 6654-6659.
doi: 10.7498/aps.56.6654
|
| [16] |
张红娣, 安玉凯, 麦振洪, 高 炬, 胡凤霞, 王 勇, 贾全杰. La0.8Ca0.2MnO3/SrTiO3薄膜厚度对其结构及磁学性能的影响. 物理学报,
2007, 56(9): 5347-5352.
doi: 10.7498/aps.56.5347
|
| [17] |
张开骁, 陈敦军, 沈 波, 陶亚奇, 吴小山, 徐 金, 张 荣, 郑有炓. 表面钝化前后Al0.22Ga0.78N/GaN异质结势垒层应变的高温特性. 物理学报,
2006, 55(3): 1402-1406.
doi: 10.7498/aps.55.1402
|
| [18] |
王焕友, 曹晓平, 蒋亦民, 刘 佑. 静止颗粒体的应变与弹性. 物理学报,
2005, 54(6): 2784-2790.
doi: 10.7498/aps.54.2784
|
| [19] |
王庆学, 杨建荣, 孙 涛, 魏彦锋, 方维政, 何 力. Hg1－xCdxTe分子束外延薄膜晶格参数与组分关系的研究. 物理学报,
2005, 54(8): 3726-3733.
doi: 10.7498/aps.54.3726
|
| [20] |
马平, 刘乐园, 张升原, 王昕, 谢飞翔, 邓鹏, 聂瑞娟, 王守证, 戴远东, 王福仁. 直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜. 物理学报,
2002, 51(2): 406-409.
doi: 10.7498/aps.51.406
|
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