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用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究

李若凡 杨瑞霞 武一宾 张志国 许娜颖 马永强

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用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究

李若凡, 杨瑞霞, 武一宾, 张志国, 许娜颖, 马永强

Research on the current collapse in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors through the inverse piezoelectric polarization model

Li Ruo-Fan, Yang Rui-Xia, Wu Yi-Bin, Zhang Zhi-Guo, Xu Na-Ying, Ma Yong-Qiang
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-22
  • 修回日期:  2007-10-18
  • 刊出日期:  2008-02-05

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